Графітові вафельні носії з SiC-покриттям

Графітові носії пластин із покриттям Semicorex SiC, високоефективні компоненти, що несуть пластини, розроблені для епітаксійного росту пластин у сучасному обладнанні для хімічного осадження металоорганічних речовин з парової фази. У партнерстві з Semicorex ви отримаєте стабільну продуктивність, конкурентоспроможні ціни та продумане обслуговування.

Надіслати запит

Опис продукту

При виготовленні напівпровідникової пластини ептаксіальний шар потрібно виростити на підкладці пластини, щоб напівпровідникові пристрої можна було виготовляти на наступних етапах. Будучи незамінним витратним компонентом у процесі епітаксійної обробки пластини, який безпосередньо контактує з підкладкою пластини, продуктивність носіїв графітової пластини з SiC-покриттям значно впливає на рівномірність і чистоту росту епітаксійного матеріалу. З цієї причини для користувачів важливо вибрати оптимальний носій для графітової пластини з SiC-покриттям.

Прийняття графіту високої чистоти для виготовлення основи носіїв для пластин і використання уніформиCVD покриття SiCЩоб надати пластині-носії «захисну броню», Semicorex прагне пропонувати високоякісний графітовий носій пластини з SiC-покриттям, здатний забезпечити надійну структурну підтримку підкладок пластин у складних епітаксійних процесах, тим самим забезпечуючи стабільне та надійне зростання епітаксійних матеріалів.

1. Графітова основа преміум-класу

A. Графітова основа має чудову теплопровідність, що забезпечує швидкий і рівномірний розподіл тепла під час епітаксійних процесів.

B. Завдяки відносно низькому коефіцієнту теплового розширення графітова основа може забезпечити нашуНосії для графітових пластин із SiC-покриттямвитримують часті термічні цикли, не деформуючись.

C. Графітові матеріали мають чудову механічну міцність, тому наші графітові носії для пластин із SiC-покриттям здатні надійно підтримувати підкладки для пластин під час тривалої епітаксії.

2. Надійне CVD SiC покриття

A. Надвисока чистота

Чистота покриття CVD SiC може досягати рівня ppb, що мінімізує забруднення між пластиною-носієм і підкладкою пластини, таким чином повністю задовольняючи суворі вимоги щодо чистоти напівпровідникової промисловості.

Б. Надійний захист

Покриття CVD SiC має щільну структуру та здатне повністю ізолювати графітову основу від високотемпературних і висококорозійних середовищ і ефективно пригнічувати хімічну корозію та окислення графітової основи, забезпечуючи тим самим надійну роботу нашого покриття графітової пластини з SiC-покриттям протягом тривалого терміну служби.

C. Сильна міцність склеювання

Покриття CVD SiC забезпечує виняткову теплопровідність і таке ж теплове розширення, як і графітова основа. Він демонструє сильну міцність зчеплення з графітовою основою і менш схильний до розтріскування або відшаровування навіть при різких змінах температури.