Покриття TaC

TaC кераміка має температуру плавлення до 3880°C, високу твердість (твердість за Моосом 9-10), велику теплопровідність (22 Вт·м).^-1·К⁻¹), велика міцність на вигин (340-400 МПа) і малий коефіцієнт теплового розширення (6,6×10^-6К-1), а також демонструють відмінну термохімічну стабільність і відмінні фізичні властивості, тому покриття TaC широко використовуються в аерокосмічному тепловому захисті, а графіт і C/C композити мають хорошу хімічну сумісність і механічну сумісність. ), і демонструють відмінну термохімічну стабільність і чудові фізичні властивості, а графіт і C/C композити мають хорошу хімічну сумісність і механічну сумісність, тому покриття TaC широко використовуються в аерокосмічному тепловому захисті, вирощуванні монокристалів, енергетиці та електроніці та медичних пристроях, тощо. Графіт із покриттям TaC має кращу хімічну стійкість, ніж чистий графіт або графіт із покриттям SiC, і його можна стабільно використовувати при високій температурі 2600°. Стабільність при високій температурі 2600 °, і багато металевих елементів не реагують, це третє покоління напівпровідникових монокристалів і сценарії травлення пластин у найкращій продуктивності покриття, може значно покращити процес контролю температури та домішок, підготовку високого - якісні пластини з карбіду кремнію та відповідні епітаксійні пластини. Це особливо підходить для обладнання MOCVD для вирощування монокристалів GaN або AlN і обладнання PVT для вирощування монокристалів SiC, і якість вирощених монокристалів значно покращується.

Згідно з результатами дослідження,Покриття TaC може діяти як захисний та ізоляційний шар для продовження терміну служби графітових компонентів, покращення радіальної рівномірності температури, підтримки сублімаційної стехіометрії SiC, придушення міграції домішок та зменшення споживання енергії. Зрештою очікується, що набір графітових тиглів із покриттям TaC покращить контроль процесу PVT з SiC та якість продукції.