Новини компанії

Які технічні труднощі піч із зростання кристалів SIC

Піч кристалічного росту є основним обладнанням для росту кристалів карбіду кремнію. Він схожий на традиційну кристалічну піч для росту кристалів кремнію. Конструкція печі не дуже складна. В основному він складається з корпусу печі, системи нагріву, механізму передачі котушки, системи збору вакууму т......

Що таке склоподібне вуглецеве покриття

Semicorex пропонує високоякісний теплоізоляційний фетар та склоподібне вуглецеве покриття.

Що таке фіктивна вафля?

У процесі виробництва напівпровідників пластини є основою виробництва чіпів. Серед них особливий тип пластини, званий фіктивною пластиною, відіграє ключову роль у забезпеченні стабільності обладнання та контролі виробничих витрат.

Ієрархічні пористі вуглецеві матеріали: синтез та вступ

Синтез порошку карбіду кремнію високої чистоти

Порошок карбіду кремнію високої чистоти має виняткову широку заборонену зону, що робить його ідеальним матеріалом для виробництва високочастотних, потужних електронних пристроїв.

Процес PECVD

Плазмове хімічне осадження з парової фази (PECVD) є широко використовуваною технологією у виробництві мікросхем. Він використовує кінетичну енергію електронів у плазмі для активації хімічних реакцій у газовій фазі, завдяки чому досягається осадження тонкої плівки.