Технологія процесу хімічного осадження з парової фази (CVD) SiC є важливою для виробництва високопродуктивної силової електроніки, що забезпечує точне епітаксіальне нарощування шарів карбіду кремнію високої чистоти на пластинах підкладки. Використовуючи широку заборонену зону та чудову теплопровідні......
ДетальнішеРізні сценарії застосування мають різні вимоги до продуктивності графітових виробів, що робить точний вибір матеріалу основним кроком у застосуванні графітових виробів. Вибір графітових компонентів із продуктивністю, що відповідає сценаріям застосування, може не тільки ефективно продовжити термін їх......
ДетальнішеТеплове поле росту монокристала — це просторовий розподіл температури всередині високотемпературної печі під час процесу вирощування монокристала, який безпосередньо впливає на якість, швидкість росту та швидкість формування кристала монокристала. Теплове поле можна розділити на стаціонарне і перехі......
ДетальнішеСучасне виробництво напівпровідників складається з кількох етапів процесу, включаючи осадження тонкої плівки, фотолітографію, травлення, іонну імплантацію, хімічне механічне полірування. Під час цього процесу навіть незначні недоліки в процесі можуть негативно вплинути на продуктивність і надійність......
ДетальнішеГрафітові пластини високої чистоти — це пластинчасті вуглецеві матеріали, виготовлені з сировини преміум-класу, включаючи нафтовий кокс, пековий кокс або природний графіт високої чистоти, за допомогою ряду виробничих процесів, таких як прожарювання, замішування, формування, випікання, високотемперат......
Детальніше