2023-04-06
MOCVD, відомий як металоорганічне хімічне осадження з парової фази (MOCVD), — це метод вирощування тонких напівпровідникових плівок на підкладці. За допомогою MOCVD багато наношарів можна наносити з високою точністю, кожен з контрольованою товщиною, щоб утворити матеріали зі специфічними оптичними та електричними властивостями.
Система MOCVD — це тип системи хімічного осадження з парової фази (CVD), яка використовує металеві органічні прекурсори для нанесення тонких плівок матеріалу на підкладку. Система складається з корпусу реактора, системи подачі газу, підкладкотримача та системи контролю температури. Металоорганічні прекурсори вводяться в ємність реактора разом з газом-носієм, і температура ретельно контролюється, щоб забезпечити зростання високоякісної тонкої плівки.
Використання MOCVD має кілька переваг перед іншими методами осадження. Однією з переваг є те, що він дозволяє осаджувати складні матеріали з точним контролем товщини та складу тонких плівок. Це особливо важливо для виробництва високопродуктивних напівпровідникових пристроїв, де властивості матеріалу тонких плівок можуть мати значний вплив на продуктивність пристрою.
Ще одна перевага MOCVD полягає в тому, що його можна використовувати для нанесення тонких плівок на різні підкладки, включаючи кремній, сапфір і арсенід галію. Ця гнучкість робить його важливим процесом у виробництві широкого діапазону напівпровідникових пристроїв, від комп’ютерних мікросхем до світлодіодів.
Системи MOCVD широко використовуються в напівпровідниковій промисловості, і вони відіграли важливу роль у розробці багатьох передових технологій. Наприклад, MOCVD використовувався для виробництва високоефективних світлодіодів для освітлення та дисплеїв, а також високоефективних сонячних батарей для фотоелектричних систем.