Пористий графіт для високоякісного вирощування кристалів SiC методом PVT

Карбід кремнію (SiC) став ключовим матеріалом у галузі напівпровідникових технологій, пропонуючи виняткові властивості, які роблять його дуже бажаним для різноманітних електронних та оптоелектронних застосувань. Виробництво високоякісних монокристалів SiC має вирішальне значення для розширення можливостей таких пристроїв, як силова електроніка, світлодіоди та високочастотні пристрої. У цій статті ми розглянемо значення пористого графіту в методі фізичного переносу пари (PVT) для вирощування монокристалів 4H-SiC.

Метод PVT є широко використовуваною технікою для виробництва монокристалів SiC. Цей процес передбачає сублімацію вихідних матеріалів SiC у високотемпературному середовищі з подальшою їх конденсацією на затравковому кристалі з утворенням монокристалічної структури. Успіх цього методу значною мірою залежить від умов у камері росту, включаючи температуру, тиск і використовувані матеріали.

Пористий графіт з його унікальною структурою та властивостями відіграє ключову роль у покращенні процесу росту кристалів SiC. Кристали SiC, вирощені традиційними методами PVT, матимуть кілька кристалічних форм. Однак використання пористого графітового тигля в печі може значно підвищити чистоту монокристала 4H-SiC.

Включення пористого графіту в метод PVT для вирощування монокристалів 4H-SiC є значним прогресом у галузі напівпровідникових технологій. Унікальні властивості пористого графіту сприяють покращенню потоку газу, однорідності температури, зниженню напруги та покращенню розсіювання тепла. Ці фактори разом призводять до виробництва високоякісних монокристалів SiC з меншою кількістю дефектів, прокладаючи шлях для розробки більш ефективних і надійних електронних і оптоелектронних пристроїв. Оскільки напівпровідникова промисловість продовжує розвиватися, використання пористого графіту в процесах вирощування кристалів SiC відіграє ключову роль у формуванні майбутнього електронних матеріалів і пристроїв.