Знаючи GaN

Останнім часом напівпровідникова промисловість продовжує приділяти все більшу увагунітрид галію (GaN)технології. Завдяки чудовим електронним властивостям пристрої з нітриду галію знаходять важливе застосування в багатьох галузях високих технологій:

1. Оптоелектронне поле:нітрид галіює ключовим матеріалом для виробництва оптоелектронних пристроїв, таких як світлодіодне освітлення та лазери.

2. Радіочастотне поле: у технології зв’язку 5G,нітрид галіюстала основним компонентом завдяки своїм характеристикам високої частоти та високої питомої потужності.

3. Силова електроніка:нітрид галіюпристрої живлення підвищують ефективність заряджання та зменшують розмір зарядного пристрою в технології швидкого заряджання. Вони також широко використовуються у фотоелектричних установках, центрах обробки даних, електромобілях та інших галузях.

Вибір субстрату для aGaNпристрій істотно впливає на його продуктивність і вартість:

1. Сапфір: завдяки своєму зрілому процесу виробництва сапфірова підкладка є економічно ефективним рішенням, особливо у сфері світлодіодного освітлення.

2. Карбід кремнію (SiC): підкладки з карбіду кремнію, хоча й дорожчі, забезпечують чудову теплопровідність і придатні для високопотужних і радіочастотних застосувань.

3. Кремній (Si): підкладки на основі кремнію недорогі та сумісні з існуючими процесами виробництва напівпровідників, що робить їх придатними для масового виробництва.

4. Гомогенний нітрид галію (GaN-на-GaN): Теоретично це найідеальніший вибір, але через технічні та фінансові обмеження він ще не отримав широкої комерціалізації.