Різання SiC

Карбід кремнію (SiC)користується великою популярністю в напівпровідниковій промисловості завдяки своїм відмінним фізичним і хімічним властивостям. Однак висока твердість і крихкість стSiCстворюють значні проблеми для його обробки.

Часто використовується алмазне різанняSiCметод різання і підходить для приготування пластин SiC великого розміру.

Перевага:

Висока ефективність: Завдяки високій швидкості різання технологія різання алмазним дротом стала кращим методом масового виробництва пластин SiC великого розміру, значно підвищуючи ефективність виробництва.

Низьке термічне пошкодження: порівняно з традиційними методами різання, різання алмазним дротом виділяє менше тепла під час роботи, ефективно зменшуючи термічне пошкодження кристалів SiC і зберігаючи цілісність матеріалу.

Хороша якість поверхні: Шорсткість поверхні пластини SiC, отриманої після різання, низька, що забезпечує хорошу основу для подальших процесів шліфування та полірування та допомагає досягти вищої якості обробки поверхні.

недолік:

Висока вартість обладнання: обладнання для різання алмазного дроту потребує великих початкових інвестицій, а витрати на обслуговування також є високими, що може збільшити загальну вартість виробництва.

Втрата дроту: алмазний дріт зношується під час безперервного процесу різання та потребує регулярної заміни, що не лише збільшує вартість матеріалу, але й збільшує навантаження на обслуговування.

Обмежена точність різання: хоча різання алмазним дротом добре працює в звичайних умовах, його точність різання може не відповідати суворішим вимогам, коли необхідно обробити складні форми або мікроструктури.

Незважаючи на деякі проблеми, технологія різання алмазного дроту залишається потужним інструментом у виробництві пластин SiC. Оскільки технологія продовжує розвиватися та економічна ефективність покращується, очікується, що цей метод відіграватиме більшу роль уSiC пластинаобробки в майбутньому.