Infineon представляє першу в світі 300-мм потужну GaN пластину

Нещодавно компанія Infineon Technologies оголосила про успішну розробку першої в світі технології пластин з нітриду галію (GaN) потужністю 300 мм. Це робить їх першою компанією, яка освоїла цю новаторську технологію та досягла масового виробництва в рамках існуючих великомасштабних виробничих середовищ високої потужності. Ця інновація знаменує значний прогрес на ринку силових напівпровідників на основі GaN.

Як технологія 300 мм відрізняється від технології 200 мм?

Порівняно з технологією 200 мм, використання 300-міліметрових пластин дозволяє виробляти в 2,3 рази більше мікросхем GaN на пластину, що значно підвищує ефективність виробництва та продуктивність. Цей прорив не тільки зміцнює лідерство Infineon у сфері енергосистем, але й прискорює швидкий розвиток технології GaN.

Що сказав генеральний директор Infineon про це досягнення?

Генеральний директор Infineon Technologies Йохен Ханебек заявив: «Це видатне досягнення демонструє нашу міцну силу в інноваціях і є свідченням невпинних зусиль нашої глобальної команди. Ми твердо віримо, що цей технологічний прорив змінить галузеві норми та розкриє повний потенціал технології GaN. Майже через рік після нашого придбання GaN Systems ми знову демонструємо нашу рішучість бути лідером на ринку GaN, що швидко зростає. Як лідер у сфері енергосистем, Infineon отримав конкурентну перевагу в трьох ключових матеріалах: кремній, карбід кремнію та GaN».

Генеральний директор Infineon Йохен Ханебек володіє однією з перших у світі 300-мм пластин GaN Power, вироблених в існуючому та масштабованому масовому виробничому середовищі.

Чому технологія GaN 300 мм є вигідною?

Однією з суттєвих переваг технології GaN 300mm є те, що її можна виробляти за допомогою існуючого обладнання для виробництва кремнію діаметром 300mm, оскільки виробничі процеси GaN і кремнію подібні. Ця функція дозволяє Infineon легко інтегрувати технологію GaN у свої поточні виробничі системи, тим самим прискорюючи впровадження та застосування технології.

Де компанія Infineon успішно виробляла 300-міліметрові пластини GaN?

Наразі Infineon успішно виготовила пластини GaN діаметром 300 мм на існуючих лініях виробництва кремнію діаметром 300 мм на своїй електростанції у Філлаху, Австрія. Спираючись на встановлену основу технології 200 мм GaN і виробництва кремнію 300 мм, компанія ще більше розширила свої технологічні та виробничі можливості.

Що цей прорив означає для майбутнього?

Цей прорив не тільки підкреслює сильні сторони Infineon в області інновацій і можливостей великомасштабного виробництва, але й закладає міцну основу для майбутнього розвитку промисловості силових напівпровідників. У міру того, як технологія GaN продовжує розвиватися, Infineon продовжуватиме розвивати ринок, ще більше зміцнюючи свої лідерські позиції у світовій промисловості напівпровідників.**