2025-10-26
Вибір пластин має значний вплив на розробку та виробництво напівпровідникових приладів.вафельнийпри виборі слід керуватися вимогами конкретних сценаріїв застосування та ретельно оцінювати його за такими важливими показниками.
1. Загальна варіація товщини:
Різниця між максимальною та мінімальною товщиною, виміряною на поверхні пластини, відома як TTV. Це важливий показник для вимірювання рівномірності товщини, і менші значення вказують на вищу продуктивність.
2. Лук і основа:
Індикатор дуги фокусується на вертикальному зміщенні центральної області пластини, що відображає лише локальний стан вигину. Він підходить для оцінки сценаріїв, чутливих до місцевої площинності. Індикатор деформації корисний для оцінки загальної площинності та викривлення, оскільки він враховує відхилення всієї поверхні пластини та надає інформацію про загальну площинність усієї пластини.
3. Частка:
Забруднення частинками на поверхні пластини може вплинути на виробництво та продуктивність пристрою, тому необхідно звести до мінімуму утворення частинок під час виробничого процесу та використовувати спеціальні процеси очищення, щоб зменшити та видалити забруднення поверхні частинками.
4.Шорсткість:
Шорсткість відноситься до показника, який вимірює площинність поверхні пластини в мікроскопічному масштабі, яка відрізняється від макроскопічної площинності. Чим менша шорсткість поверхні, тим гладкіша поверхня. Такі проблеми, як нерівномірне осадження тонкої плівки, розмиті краї фотолітографічного малюнка та погана електрична продуктивність можуть бути результатом надмірної шорсткості.
5.дефекти:
Шорсткість відноситься до показника, який вимірює площинність поверхні пластини в мікроскопічному масштабі, яка відрізняється від макроскопічної площинності. Чим менша шорсткість поверхні, тим гладкіша поверхня. Такі проблеми, як нерівномірне осадження тонкої плівки, розмиті краї фотолітографічного малюнка та погана електрична продуктивність можуть бути результатом надмірної шорсткості.
6. Тип провідності/допант:
Два типи пластин - це n-тип і p-тип, залежно від легуючих компонентів. Пластини n-типу зазвичай леговані елементами групи V для досягнення провідності. Фосфор (P), миш'як (As) і сурма (Sb) є поширеними легуючими елементами. Пластини P-типу переважно леговані елементами групи III, як правило, бором (B). Нелегований кремній називається власним кремнієм. Його внутрішні атоми з’єднані між собою ковалентними зв’язками, утворюючи тверду структуру, що робить його електрично стабільним ізолятором. Однак у реальному виробництві не існує власних кремнієвих пластин, які були б повністю вільні від домішок.
7. Опір:
Контроль питомого опору пластини є важливим, оскільки він безпосередньо впливає на продуктивність напівпровідникових пристроїв. Щоб змінити питомий опір пластин, виробники зазвичай легують їх. Вищі концентрації допанту призводять до нижчого питомого опору, а нижчі концентрації допанту призводять до більш високого питомого опору.
На завершення рекомендується уточнити наступні умови процесу та обмеження обладнання перед вибором пластин, а потім зробити свій вибір на основі наведених вище показників, щоб забезпечити подвійну мету скорочення циклу розробки напівпровідникового пристрою та оптимізації виробничих витрат.