Що таке SiC епітаксія?

Епітаксія з карбіду кремнію (SiC) є ключовою технологією в галузі напівпровідників, зокрема для розробки потужних електронних пристроїв. SiC є складним напівпровідником із широкою забороненою зоною, що робить його ідеальним для додатків, які потребують роботи при високій температурі та високій напрузі.

SiC епітаксія — це процес вирощування тонкого шару кристалічного матеріалу на підкладці, зазвичай кремнієвій, за допомогою методів хімічного осадження з газової фази (CVD) або молекулярно-променевої епітаксії (MBE). Епітаксійний шар має таку саму кристалічну структуру та орієнтацію, що й підкладка, що дозволяє сформувати високоякісну межу розділу між двома матеріалами.

SiC епітаксія широко використовується в розробці силової електроніки, включаючи силові пристрої, такі як діоди, транзистори та тиристори. Ці пристрої використовуються в широкому діапазоні застосувань, таких як електромобілі, системи відновлюваної енергії та джерела живлення.

В останні роки зростає інтерес до розробки SiC епітаксії для виготовлення потужних пристроїв для таких застосувань, як електромобілі та системи відновлюваної енергії. Очікується, що в найближчі роки попит на ці пристрої швидко зросте, що зумовлено потребою в більш ефективних і стійких енергетичних системах.

У відповідь на цей попит дослідники та компанії інвестують у розробку технології епітаксії SiC, зосереджуючись на покращенні якості та зниженні вартості процесу. Наприклад, деякі компанії розробляють SiC епітаксію на більших підкладках, щоб зменшити вартість однієї пластини, а інші досліджують нові методи зменшення щільності дефектів.

SiC-епітаксія також використовується в розробці передових датчиків для ряду застосувань, включаючи вимірювання газу, температури та тиску. SiC має унікальні властивості, які роблять його ідеальним для цих застосувань, наприклад стійкість до високих температур і стійкість до суворих умов.