Процес епітаксійної обробки пластин є важливою технікою, яка використовується у виробництві напівпровідників. Це передбачає зростання тонкого шару кристалічного матеріалу поверх підкладки, який має таку саму кристалічну структуру та орієнтацію, що й підкладка. Цей процес створює високоякісний інтерфейс між двома матеріалами, що дозволяє розробляти передові електронні пристрої.

Процес епітаксійної пластини використовується у виробництві різних напівпровідникових приладів, включаючи діоди, транзистори та інтегральні схеми. Процес зазвичай виконується за допомогою методів хімічного осадження з газової фази (CVD) або молекулярно-променевої епітаксії (MBE). Ці методи включають осадження атомів матеріалу на поверхню підкладки, де вони утворюють кристалічний шар.

Процес виготовлення епітаксійних пластин є складною та точною технікою, яка вимагає суворого контролю за різними параметрами, такими як температура, тиск і швидкість потоку газу. Зростання епітаксійного шару необхідно ретельно контролювати, щоб забезпечити формування високоякісної кристалічної структури з низькою щільністю дефектів.

Якість процесу епітаксійної пластини має вирішальне значення для продуктивності отриманого напівпровідникового пристрою. Епітаксійний шар повинен мати однакову товщину, низьку щільність дефектів і високий рівень чистоти для забезпечення оптимальних електронних властивостей. Товщину та рівень легування епітаксійного шару можна точно контролювати для досягнення бажаних властивостей, таких як провідність і заборонена зона.

В останні роки процес епітаксійної пластини набуває все більшого значення у виробництві високоефективних напівпровідникових приладів, особливо в галузі силової електроніки. Попит на високоефективні пристрої з підвищеною ефективністю та надійністю спонукав до розвитку вдосконалених процесів епітаксійної обробки пластин.

Процес епітаксійної пластини також використовується для розробки передових датчиків, включаючи датчики температури, датчики газу та датчики тиску. Для цих датчиків потрібні високоякісні кристалічні шари зі специфічними електронними властивостями, яких можна досягти за допомогою процесу епітаксійної пластини.