Методи вирощування кристалів AlN

AlN, як напівпровідниковий матеріал третього покоління, є не тільки важливим матеріалом синього та ультрафіолетового світла, але також важливим матеріалом для упаковки, діелектричної ізоляції та ізоляційним матеріалом для електронних пристроїв та інтегральних схем, особливо придатних для високотемпературних та потужних пристроїв . Крім того, AlN і GaN мають хорошу теплову та хімічну сумісність, AlN, який використовується як епітаксіальна підкладка GaN, може значно зменшити щільність дефектів у пристроях GaN, покращити продуктивність пристрою.

Завдяки привабливим перспективам застосування приготування високоякісних кристалів AlN великого розміру привернуло велику увагу дослідників у країні та за кордоном. В даний час кристали AlN отримують методом розчину, прямим азотуванням металевого алюмінію, гідридної газофазної епітаксії та фізичним парофазним транспортом (PVT). Серед них метод PVT став основною технологією вирощування кристалів AlN із високою швидкістю росту (до 500-1000 мкм/год) і високою якістю кристалів (щільність дислокацій нижче 103 см-2).

Вирощування кристалів AlN методом PVT здійснюється шляхом сублімації, транспортування газової фази та перекристалізації порошку AlN, а температура середовища зростання досягає 2300 ℃. Основний принцип вирощування кристалів AlN методом PVT відносно простий, як показано в наступному рівнянні:

2AlN(s) ⥫⥬ 2Al(г) ＋N2(г)

Основні етапи процесу росту такі: (1) сублімація сирого порошку AlN; (2) транспортування газофазних компонентів сировини; 3) адсорбція газофазних компонентів на поверхні росту; (4) поверхнева дифузія та зародження; 5) процес десорбції [10]. За стандартного атмосферного тиску кристали AlN починають повільно розкладатися на пари Al і азот лише приблизно при 1700 ℃, а реакція розкладання AlN швидко посилюється, коли температура досягає 2200 ℃.

Матеріал TaC — це справжній матеріал тигля для вирощування кристалів AlN, що використовується, з чудовими фізичними та хімічними властивостями, відмінною тепло- та електропровідністю, стійкістю до хімічної корозії та хорошою стійкістю до термічного удару, що може ефективно підвищити ефективність виробництва та термін служби.

Semicorex пропонує високу якістьПродукти покриття TaCз індивідуальним обслуговуванням. Якщо у вас є запитання або вам потрібна додаткова інформація, будь ласка, не соромтеся зв’язатися з нами.

Контактний телефон +86-13567891907

Електронна адреса: sales@semicorex.com