- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Новини
Представляємо основну технологію графітового човна
Graphite Boat стоїть на передньому краї технологічних інновацій у своїй галузі, представляючи набір новаторських досягнень, розроблених для підвищення продуктивності, чистоти та тривалості життя. Нижче ми розглянемо основні технології, які визначають досконалість графітового човна:
Детальніше
Пористий графіт для високоякісного вирощування кристалів SiC методом PVT
Карбід кремнію (SiC) став ключовим матеріалом у галузі напівпровідникових технологій, пропонуючи виняткові властивості, які роблять його дуже бажаним для різноманітних електронних та оптоелектронних застосувань. Виробництво високоякісних монокристалів SiC має вирішальне значення для розширення можли......
Детальніше
3 способи формування графіту
Чотири основні методи формування для формування графіту: екструзійне формування, формування, вібраційне формування та ізостатичне формування. Більшість звичайних вуглецевих/графітових матеріалів на ринку формують гарячою екструзією та формуванням (холодним або гарячим), а ізостатичне формування є ме......
Детальніше
Що таке ізостатичний графіт?
Спеціальний графіт — це графіт із масовою часткою вуглецю понад 99,99%, також відомий як «графіт трьох високих рівнів» (висока міцність, висока щільність, висока чистота). Він характеризується високою міцністю, високою щільністю, високою чистотою, високою хімічною стабільністю, високою тепло- та еле......
Детальніше
Представляємо фізичний транспорт пари (PVT)
Власні характеристики SiC визначають, що зростання монокристалів є більш складним. Через відсутність Si:C=1:1 рідкої фази при атмосферному тиску, більш зрілий процес росту, прийнятий основним потоком напівпровідникової промисловості, не може бути використаний для вирощування більш зрілого методу рос......
Детальніше
Випущено епітаксіальні продукти GaN HEMT високої потужності 850 В
У листопаді 2023 року Semicorex випустила епітаксіальні продукти GaN-on-Si на 850 В для пристроїв живлення HEMT високої напруги та сильного струму. Порівняно з іншими підкладками для силових пристроїв HMET, GaN-on-Si забезпечує більші розміри пластин і більш різноманітні застосування, а також його м......
Детальніше
