Кераміка з карбіду кремнію пропонує численні переваги в промисловості оптичних волокон, включаючи високотемпературну стабільність, низький коефіцієнт теплового розширення, низький поріг втрат і пошкоджень, механічну міцність, стійкість до корозії, хорошу теплопровідність і низьку діелектричну проник......
ДетальнішеІсторія карбіду кремнію (SiC) починається з 1891 року, коли Едвард Гудріч Ачесон випадково відкрив його під час спроби синтезувати штучні алмази. Ачесон нагрівав суміш глини (алюмосилікат) і порошкоподібного коксу (вуглецю) в електричній печі. Замість очікуваних алмазів він отримав яскраво-зелений к......
ДетальнішеВирощування кристалів є основною ланкою у виробництві підкладок з карбіду кремнію, а основним обладнанням є піч для вирощування кристалів. Подібно до традиційних печей для вирощування кристалів на основі кристалічного кремнію, конструкція печі не дуже складна і в основному складається з корпусу печі......
ДетальнішеШирокозонні напівпровідникові матеріали третього покоління, такі як нітрид галію (GaN) і карбід кремнію (SiC), відомі своїми винятковими можливостями оптоелектронного перетворення та передачі мікрохвильового сигналу. Ці матеріали відповідають високим вимогам до високочастотних, високотемпературних, ......
ДетальнішеЧовен із карбіду кремнію (SiC boat) — це стійкий до високих температур аксесуар, який використовується в трубах печі для перенесення пластин під час високотемпературної обробки. Завдяки видатним властивостям карбіду кремнію, таким як стійкість до високих температур, хімічної корозії та відмінна терм......
ДетальнішеНаразі більшість виробників SiC-підкладок використовують нову конструкцію процесу термічного поля тигля з пористими графітовими циліндрами: розміщують високочисті частинки SiC між стінкою графітового тигля та пористим графітовим циліндром, одночасно поглиблюючи весь тигель і збільшуючи діаметр тигля......
Детальніше