Керамічні електростатичні патрони

Керамічні електростатичні патронице прецизійні компоненти, які використовують електростатичне поле, створене між електродами та пластинами, для затискання та фіксації пластин. Вони широко застосовуються в таких галузях, як напівпровідники, плоскі дисплеї та оптика, і є основними компонентами висококласного обладнання, як-от PVD-пристрої, травильні машини та іонні імплантатори.

У порівнянні з традиційними механічними патронами та вакуумними патронами, керамічні електростатичні патрони мають багато переваг у сфері виробництва напівпровідників. Цей керамічний електростатичний патрон використовує статичну електрику, щоб вирівняти та рівномірно утримувати пластини на поверхні. Ця рівномірна сила адсорбції може тримати адсорбований об’єкт відносно плоским, уникаючивафельнийвикривлення або деформація, які можуть бути спричинені традиційними механічними патронами абовакуумні патрони, а також забезпечення того, щоб пластина підтримувала точність обробки, придатну для високоточних напівпровідникових процесів.

Деякі керамічні електростатичні патрони мають інтегровані функції нагріву, які можуть точно контролювати температуру пластини за допомогою зворотного видувного газу або внутрішніх нагрівальних електродів, адаптуватися до строгих температурних вимог різних процесів і підвищити стабільність обробки.

На відміну від механічних патронів, керамічні електростатичні патрони зменшують механічні рухомі частини, зменшують вплив твердих забруднень на якість пластини, ефективно захищають чистоту поверхні пластини та покращують вихід продукції.

Керамічні електростатичні патрони пропонують широку сумісність. Вони можуть вміщувати пластини різних розмірів і матеріалів, включаючи кремній, арсенід галію та карбід кремнію, задовольняючи різноманітні потреби у виробництві напівпровідників.

Вони можуть стабільно працювати в середовищах високого вакууму, таких як іонна імплантація та CVD, долаючи обмеження традиційних вакуумних патронів, які не можуть поглинати пластини у вакуумному середовищі, і ідеально відповідають вимогам процесу іонної імплантації, хімічного осадження з парової фази (CVD) та інших процесів у виробництві напівпровідників.