Епітаксія Ga2O3

Зробіть крок у нову еру досконалості напівпровідників із Semicorex Ga2O3 Epitaxy, революційним рішенням, яке заново визначає межі потужності та ефективності. Розроблений з точністю та інноваціями, Ga2O3 epitaxy пропонує платформу для пристроїв наступного покоління, обіцяючи неперевершену продуктивність у різних сферах застосування.

Надіслати запит

Опис продукту

Епітаксія Ga2O3, отримана від широкозонного напівпровідника четвертого покоління, забезпечує новий рівень стабільності продуктивності та надійності в екстремальних умовах. Його широкозонна природа позиціонує його як матеріал вибору для застосування в умовах високої температури та високої радіації.

Висока напруженість поля пробою: скористайтеся перевагами виняткової напруженості поля пробою Ga2O3 і підвищених значень Baliga, що робить його неперевершеним матеріалом для застосувань високої напруги та великої потужності. Епітаксія Ga2O3 забезпечує підвищену надійність і мінімальні втрати потужності.

Епітаксія Ga2O3 виділяється своєю чудовою енергоефективністю. Маючи значення Baliga, що в чотири рази перевищують GaN і в десять разів більше, ніж SiC, він демонструє чудові характеристики провідності. Пристрої для епітаксії Ga2O3 демонструють втрати потужності лише на 1/7 SiC і вражаючі 1/49 пристроїв на основі кремнію.

Нижча твердість епітаксії Ga2O3 спрощує процес виготовлення, що призводить до зниження витрат на обробку. Ця перевага позиціонує епітаксію Ga2O3 як економічно ефективне та масштабоване рішення для низки застосувань.