Нагрівач MOCVD

Цей нагрівач виготовлено з використанням високочистого графіту з ретельним контролем рівня домішок до менше 5 частин на мільйон (ppm). Потім графіт покривається карбідом кремнію (SiC) хімічним осадженням з парової фази (CVD), рівень чистоти якого перевищує 99,99995%. Ця комбінація матеріалів наділяє нагрівач унікальним набором властивостей, які необхідні для досягнення оптимальної продуктивності в процесах металоорганічного хімічного осадження з парової фази (MOCVD).

Однією з найбільш чудових особливостей нагрівача Semicorex MOCVD є його виняткова хімічна чистота. Графітове ядро ​​високої чистоти значно мінімізує введення забруднень під час високотемпературних процесів, забезпечуючи осадження ультрачистих тонких плівок. Покриття CVD SiC ще більше підвищує цю чистоту, створюючи надійний бар’єр проти хімічних взаємодій, які можуть порушити цілісність нанесених шарів. Цей високий рівень хімічної чистоти має вирішальне значення для виробництва напівпровідникових пристроїв із чудовою продуктивністю та надійністю.

Крім того, нагрівач дуже міцний і термічно ефективний, здатний витримувати екстремальні температурні умови, характерні для процесів MOCVD. Властиві властивості SiC, такі як його висока температура плавлення та теплопровідність, сприяють здатності нагрівача ефективно керувати та розподіляти тепло. Ця теплова ефективність забезпечує рівномірний нагрів підкладки, що є важливим для досягнення однорідного осадження плівки та мінімізації температурних градієнтів, які можуть призвести до дефектів.

Електропровідність є ще однією областю, де нагрівач Semicorex MOCVD перевершує. Сердечник з графіту високої чистоти забезпечує чудову електропровідність, що дозволяє нагрівачу легко справлятися з високими електричними навантаженнями. Ця можливість особливо важлива в процесах MOCVD, які вимагають точного контролю температури та швидкості осадження. Здатність нагрівача підтримувати стабільну електричну продуктивність за високих навантажень забезпечує послідовні та відтворювані умови процесу, які є життєво важливими для високопродуктивного виробництва напівпровідників.

Плоска поверхня нагрівача ретельно розроблена для забезпечення більш високої випромінювальної здатності до підкладки, підвищуючи ефективність радіаційної теплопередачі. Ця особливість конструкції забезпечує рівномірне нагрівання підкладки, що є критичним для отримання високоякісних тонких плівок із постійною товщиною та властивостями. Поверхня з високим коефіцієнтом випромінювання також сприяє загальній тепловій ефективності нагрівача, знижуючи споживання енергії та експлуатаційні витрати.

Що стосується довговічності, нагрівач Semicorex MOCVD забезпечує виняткову стійкість до корозії, неокислюваність і високу механічну міцність. Покриття CVD SiC забезпечує міцний захисний шар, який протистоїть корозійним газам і хімічним речовинам, які зазвичай зустрічаються в процесах MOCVD. Така стійкість до корозії подовжує термін експлуатації обігрівача, зменшуючи витрати на обслуговування та заміну. Неокислюваність нагрівача гарантує, що він залишається стабільним і не руйнується навіть при високих температурах, зберігаючи його продуктивність і структурну цілісність протягом тривалого періоду експлуатації.

Нарешті, висока механічна міцність нагрівача гарантує, що він може витримувати фізичні навантаження, пов’язані з термоциклуванням і обробкою субстрату. Ця міцність мінімізує ризик механічних пошкоджень, забезпечуючи надійну та безперервну роботу.