GaN проти SiC

Зараз у розслідуванні знаходяться декілька матеріалів, серед якихкарбід кремніювиділяється як одна з найперспективніших. Схожий наGaN, він може похвалитися вищою робочою напругою, вищою напругою пробою та кращою провідністю порівняно з кремнієм. Крім того, завдяки високій теплопровідності,карбід кремніюможна використовувати в середовищах з екстремальними температурами. Нарешті, він значно менший за розміром, але здатний працювати з більшою потужністю.

ХочаSiCє придатним матеріалом для підсилювачів потужності, він не підходить для застосування на високих частотах. З іншого боку,GaNє кращим матеріалом для створення малих підсилювачів потужності. Однак під час комбінування інженери зіткнулися з проблемоюGaNз кремнієвими МОП-транзисторами P-типу, оскільки це обмежує частоту та ефективністьGaN. Хоча ця комбінація пропонувала додаткові можливості, вона не була ідеальним вирішенням проблеми.

У міру розвитку технологій дослідники можуть зрештою знайти пристрої GaN P-типу або додаткові пристрої, що використовують різні технології, які можна поєднувати зGaN. Однак до того дняGaNі надалі буде обмежено технологіями нашого часу.

ПросуванняGaNтехнологія вимагає спільних зусиль між матеріалознавством, електротехнікою та фізикою. Цей міждисциплінарний підхід необхідний для подолання поточних обмеженьGaNтехнології. Якщо ми зможемо зробити прорив у розробці P-типу GaN або знайти відповідні додаткові матеріали, це не лише покращить продуктивність пристроїв на основі GaN, але й сприятиме розвитку ширшої сфери напівпровідникових технологій. Це може прокласти шлях до більш ефективних, компактних і надійних електронних систем у майбутньому.