Кремнієвий матеріал — це твердий матеріал із певними напівпровідниковими електричними властивостями та фізичною стабільністю, який забезпечує підтримку підкладки для подальшого процесу виготовлення інтегральної схеми. Це ключовий матеріал для інтегральних схем на основі кремнію. Більше 95% напівпров......
ДетальнішеУ цій статті розглядається використання та майбутня траєкторія човнів із карбіду кремнію (SiC) по відношенню до кварцових човнів у напівпровідниковій промисловості, особливо зосереджуючись на їх застосуванні у виробництві сонячних елементів.
ДетальнішеВирощування епітаксійної пластини з нітриду галію (GaN) є складним процесом, у якому часто використовується двоетапний метод. Цей метод включає кілька критичних етапів, включаючи високотемпературну випічку, зростання буферного шару, рекристалізацію та відпал. Ретельно контролюючи температуру на цих ......
ДетальнішеЯк епітаксіальні, так і дифузні пластини є важливими матеріалами у виробництві напівпровідників, але вони суттєво відрізняються процесами виготовлення та цільовими застосуваннями. У цій статті розглядаються ключові відмінності між цими типами вафель.
ДетальнішеПідкладка з карбіду кремнію – це складний напівпровідниковий монокристалічний матеріал, що складається з двох елементів: вуглецю та кремнію. Він має характеристики великої забороненої зони, високої теплопровідності, високої критичної напруженості поля пробою та високої швидкості дрейфу насичення еле......
Детальніше