- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Новини
Гетероепітаксія 3C-SiC: огляд
Розробка 3C-SiC, значного політипу карбіду кремнію, відображає безперервний прогрес науки про напівпровідники. У 1980-х роках Nishino та ін. вперше досяг плівки 3C-SiC товщиною 4 мкм на кремнієвій підкладці за допомогою хімічного осадження з парової фази (CVD)[1], заклавши основу для технології тонк......
Детальніше
Високочистий CVD товстий SiC: аналіз процесів для вирощування матеріалів
Товсті шари карбіду кремнію (SiC) високої чистоти, які зазвичай перевищують 1 мм, є критично важливими компонентами в різних дорогоцінних застосуваннях, включаючи виготовлення напівпровідників та аерокосмічні технології. У цій статті розглядається процес хімічного осадження з парової фази (CVD) для ......
Детальніше
Монокристалічний кремній проти полікристалічного кремнію
Монокристалічний і полікристалічний кремній мають свої унікальні переваги та сценарії застосування. Монокристалічний кремній підходить для високопродуктивних електронних виробів і мікроелектроніки завдяки своїм відмінним електричним і механічним властивостям. Полікристалічний кремній, з іншого боку,......
Детальніше
Підкладка та епітаксія
У процесі підготовки пластин є дві основні ланки: одна – підготовка підкладки, друга – здійснення епітаксійного процесу. Підкладку, пластину, ретельно виготовлену з напівпровідникового монокристалічного матеріалу, можна безпосередньо ввести в процес виробництва пластини як основу для виробництва нап......
Детальніше
Розуміння хімічного осадження з парової фази (CVD): вичерпний огляд
Хімічне осадження з парової фази (CVD) — це універсальний метод осадження тонких плівок, який широко використовується в напівпровідниковій промисловості для виготовлення високоякісних конформних тонких плівок на різних підкладках. Цей процес включає хімічні реакції газоподібних прекурсорів на нагріт......
Детальніше
