> Новини

Новини

Про дефекти в кристалах SiC - Мікротруба

Підкладка SiC може мати мікроскопічні дефекти, такі як зміщення різьбового гвинта (TSD), зміщення краю різьблення (TED), зміщення базової площини (BPD) та інші. Ці дефекти викликані відхиленнями в розташуванні атомів на атомному рівні. Кристали SiC також можуть мати макроскопічні дислокації, такі як......

Детальніше

Чому варто вибрати метод рідкофазної епітаксії?

Порівняно з методом PVT рідкофазний метод вирощування SiC має такі переваги:

Детальніше

Що таке рідкофазна епітаксія?

Рідкофазний метод ближче до умов термодинамічної рівноваги і дозволяє виростити кристали SiC з кращою якістю.

Детальніше

Покриття TaC

Відповідно до результатів дослідження, покриття TaC може діяти як захисний та ізоляційний шар для продовження терміну служби графітових компонентів, покращення радіальної рівномірності температури, підтримки стехіометрії сублімації SiC, придушення міграції домішок і зменшення споживання енергії. Зре......

Детальніше

Що таке процес CVD у напівпровіднику?

Хімічне осадження з парової фази CVD стосується введення двох або більше газоподібних сировинних матеріалів у реакційну камеру в умовах вакууму та високої температури, де газоподібні сировинні матеріали реагують один з одним, утворюючи новий матеріал, який осідає на поверхні пластини.

Детальніше

Огляд розвитку фотоелектричної промисловості

До 2027 року сонячна фотоелектрична (PV) випередить вугілля як найбільша встановлена потужність у світі. Сукупна встановлена потужність сонячної фотоелектричної системи за нашим прогнозом зросте майже втричі, збільшившись майже на 1500 гігават за цей період, і перевищить природний газ до 2026 ро......

Детальніше

<...31 32 33 34 35...37 >