Кераміка з карбіду кремнію (SiC) — це вид передового керамічного матеріалу, відомий своїми винятковими властивостями та широким спектром застосування. Він складається з атомів кремнію (Si) і вуглецю (C), розташованих у структурі кристалічної решітки, що створює твердий і міцний матеріал з чудовою те......
ДетальнішеПластина карбіду кремнію (SiC) P-типу — це напівпровідникова підкладка, легована домішками для створення P-типу (позитивної) провідності. Карбід кремнію — це широкозонний напівпровідниковий матеріал, який має виняткові електричні та теплові властивості, що робить його придатним для потужних і високо......
ДетальнішеГрафітовий токоприймач є однією з основних частин устаткування MOCVD, є носієм і нагрівачем підкладки пластини. Його властивості термічної стабільності та термічної однорідності відіграють вирішальну роль у якості епітаксійного росту пластини, що безпосередньо визначає однорідність і чистоту матеріа......
Детальніше