Графітові тиглі з покриттям SiC

Встановлено в центрі високотемпературних печей для вирощування кристалів,SiC-покриттяграфітові тиглі працюють у поєднанні з нагрівачами, теплоізоляційними рукавами, направляючими трубами потоку та валами тигля для формування повної системи теплового поля. Ця система теплового поля може підтримувати стабільне високотемпературне середовище, необхідне для росту кристалів.

Виробництво SiC з покриттямграфітові тиглізазвичай починається з використання передової технології хімічного осадження з парової фази для рівномірного осадження щільного шарукарбід кремніюпокриття на поверхні сформованої графітової підкладки. Складається з високої чистотиграфітПідкладка та щільне покриття з карбіду кремнію, покритий SiC графітовий тигель утворює синергетичну структуру, яка поєднує теплопровідність графіту з корозійною стійкістю карбіду кремнію.

Метод Чохральського є універсальною промисловою технікою вирощування кристалів. Ця техніка буде надавати відцентрову силу на тигель під час виробництва кристала. Висока міцність на вигин і міцність графітових тиглів із SiC-покриттям може запобігти поломці або розтріскуванню під час високошвидкісного обертання, ефективно зменшуючи перерви у виробництві, спричинені пошкодженням тигля. Крім того, під час цього процесу тиглі повинні зазнавати різких температурних коливань протягом короткого періоду часу. Завдяки надзвичайній стійкості до термічного удару графітові тиглі з SiC-покриттям можуть зменшити структурні пошкодження, пов’язані з термічною напругою, забезпечити стабільність своєї форми, тим самим зменшуючи дефекти росту кристалів, спричинені деформацією тигля.

За високих температур графітові тиглі з SiC-покриттям утворять щільний захисний шар карбіду кремнію. Цей захисний шар може ізолювати графітову підкладку від парів кремнію та розплавленого кремнію, тим самим мінімізуючи ризики корозії графітової підкладки та забруднення кристалів, пов’язані з відшаруванням покриття. Таким чином, графітові тиглі Semicorex з SiC-покриттям можуть витримувати різноманітні складні високотемпературні корозійні середовища протягом тривалих періодів фактичної експлуатації. Це забезпечує стабільний кристалічний склад і знижує кількість дефектів, що є важливим для виробництва високоякісних напівпровідникових кристалів.