Китай вафельний Виробники, постачальники, фабрика

Що таке напівпровідникова пластина?

Напівпровідникова пластина — це тонкий круглий шматок напівпровідникового матеріалу, який служить основою для виготовлення інтегральних схем (ІС) та інших електронних пристроїв. Пластина забезпечує рівну та однорідну поверхню, на якій побудовані різні електронні компоненти.

Процес виготовлення пластин включає кілька етапів, включаючи вирощування великого монокристала потрібного напівпровідникового матеріалу, розрізання кристала на тонкі пластини за допомогою алмазної пилки, а потім полірування та очищення пластин для видалення будь-яких поверхневих дефектів або домішок. Отримані пластини мають дуже плоску та гладку поверхню, що є вирішальним для подальших процесів виготовлення.

Після того, як пластини підготовлені, вони проходять серію процесів виробництва напівпровідників, таких як фотолітографія, травлення, осадження та легування, щоб створити складні візерунки та шари, необхідні для створення електронних компонентів. Ці процеси повторюються кілька разів на одній пластині для створення кількох інтегральних схем або інших пристроїв.

Після завершення процесу виготовлення окремі чіпи відокремлюються шляхом нарізання пластини кубиками по заздалегідь визначеним лініям. Відокремлені мікросхеми потім упаковуються, щоб захистити їх і забезпечити електричні з’єднання для інтеграції в електронні пристрої.

Різні матеріали на вафлі

Напівпровідникові пластини в основному виготовляються з монокристалічного кремнію завдяки його великій кількості, відмінним електричним властивостям і сумісності зі стандартними процесами виробництва напівпровідників. Однак, залежно від конкретних застосувань і вимог, інші матеріали також можуть використовуватися для виготовлення пластин. Ось кілька прикладів:

Карбід кремнію (SiC): SiC — це широкозонний напівпровідниковий матеріал, відомий своєю чудовою теплопровідністю та високотемпературними характеристиками. Пластини SiC використовуються в потужних електронних пристроях, таких як перетворювачі енергії, інвертори та компоненти електромобілів.

Нітрид галію (GaN): GaN — це широкозонний напівпровідниковий матеріал із винятковими можливостями обробки електроенергії. Пластини GaN використовуються у виробництві силових електронних пристроїв, підсилювачів високої частоти, світлодіодів (світлодіодів).

Арсенід галію (GaAs): GaAs є ще одним поширеним матеріалом, який використовується для пластин, особливо у високочастотних і високошвидкісних додатках. Пластини GaAs забезпечують кращу продуктивність для певних електронних пристроїв, таких як радіочастотні (радіочастотні) та мікрохвильові пристрої.

Фосфід індію (InP): InP — це матеріал із чудовою рухливістю електронів, який часто використовується в оптоелектронних пристроях, таких як лазери, фотодетектори та високошвидкісні транзистори. Пластини InP підходять для застосування у волоконно-оптичному зв’язку, супутниковому зв’язку та високошвидкісній передачі даних.