Епітаксія GaN

Semicorex забезпечує індивідуальну тонкоплівкову епітаксію HEMT (нітрид галію) GaN на підкладках Si/SiC/GaN. Semicorex прагне надавати якісну продукцію за конкурентоспроможними цінами, ми з нетерпінням чекаємо можливості стати вашим довгостроковим партнером у Китаї.

Надіслати запит

Опис продукту

Епітаксія з нітриду галію GaN – це широкозонний напівпровідниковий матеріал із чудовими електричними та оптичними властивостями, що робить його перспективним кандидатом для різноманітних електронних та оптоелектронних пристроїв.

Епітаксія GaN зробила революцію в розробці пристроїв на основі GaN, включаючи потужну електроніку, твердотільні освітлювальні прилади (світлодіоди) і високочастотні пристрої. Здатність вирощувати високоякісні епітаксійні шари GaN з точним контролем властивостей матеріалу значно підвищила продуктивність, ефективність і надійність пристроїв GaN, сприяючи прогресу в різних галузях промисловості, таких як енергетична електроніка, телекомунікації та побутова електроніка.