SiC епітаксія

Semicorex забезпечує індивідуальну епітаксію тонкої плівки (карбіду кремнію) SiC на підкладках для розробки пристроїв з карбіду кремнію.

SiC-епітаксію можна налаштувати відповідно до конкретних вимог пристрою шляхом додавання легуючих добавок або вирощування кристалів з різною орієнтацією. Легування епітаксійного шару такими домішками, як азот або алюміній, дозволяє модифікувати електричні властивості, наприклад контролювати концентрацію носіїв або створювати p-n-переходи.

Якість епітаксійного шару SiC оцінюється за допомогою різних методів визначення характеристик, включаючи рентгенівську дифракцію, скануючу електронну мікроскопію, атомно-силову мікроскопію та електричні вимірювання. Ці методи допомагають оцінити кристалічну структуру, морфологію поверхні та електричні характеристики епітаксійного шару.

Semicorex може запропонувати: епітаксіальну пластину SiC, епітаксіальну пластину GaN, Si Epitaxy, SiC пластину тощо.