Графітовий токоприймач з покриттям SiC

Покриття SiC на графітовому токоприймачі з покриттям SiC служить багатьом цілям. По-перше, він забезпечує підвищену термічну стабільність, дозволяючи точно контролювати градієнти температури під час процесів епітаксійного росту. Ця стабільність має вирішальне значення для досягнення рівномірних і високоякісних шарів кремнію в напівпровідникових пластинах. Покриття SiC на графітовому токоприймачі з покриттям SiC забезпечує чудову стійкість до хімічної корозії та термічного удару, зберігаючи цілісність токоприймача навіть за складних умов процесу. Ця довговічність означає подовження терміну експлуатації та скорочення часу простою, що в кінцевому підсумку сприяє підвищенню продуктивності та економічної ефективності для виробництва напівпровідників.

Конструкція стовбура графітового токоприймача з покриттям SiC полегшує ефективне завантаження та вивантаження пластин, оптимізуючи пропускну здатність у процесах епітаксії. Крім того, Graphite Susceptor with SiC Coating — це індивідуальний продукт, який можна налаштувати відповідно до конкретних вимог і переваг виробників напівпровідників, забезпечуючи сумісність із різними конфігураціями обладнання та параметрами процесу.