Горизонтальний вафельний човен SiC

Визначальною особливістю Semicorex Horizontal SiC Wafer Boat є ретельно розроблена архітектура з прорізами, спеціально розроблена для надійного утримання пластин на місці під час різних високотемпературних процесів. Це точне обмеження пластини виконує кілька важливих функцій:

Усунення руху пластин:Запобігаючи небажаному ковзанню або зміщенню, горизонтальна пластина SiC Wafer Boat забезпечує постійний вплив технологічних газів і температурних профілів, сприяючи високорівномірній обробці пластин і мінімізуючи ризик дефектів.

Покращена рівномірність процесу:Послідовне розташування пластини безпосередньо перетворюється на чудову однорідність критичних параметрів, таких як товщина шару, концентрація легуючих речовин і морфологія поверхні. Ця точність особливо важлива в таких програмах, як хімічне осадження з парової фази (CVD) і дифузія, де навіть незначні зміни можуть суттєво вплинути на продуктивність пристрою.

Зменшена шкода Wafer:Надійне кріплення горизонтального карбідного вафельного човна зводить до мінімуму ймовірність відколів, поломок або подряпин під час транспортування та транспортування, що важливо для підтримки високого виходу та зниження виробничих витрат.

Окрім прецизійного дизайну, Horizontal SiC Wafer Boat пропонує переконливе поєднання властивостей матеріалів, які роблять його ідеальним для виробництва напівпровідників і фотоелектричних пристроїв:

Стійкість до екстремальних температур: Horizontal SiC Wafer Boat демонструє надзвичайну високотемпературну міцність і стабільність, що дозволяє йому витримувати екстремальні термічні умови, які виникають під час таких процесів, як ріст кристалів, відпал і швидка термічна обробка (RTP) без деформації або деградації.

Надвисока чистота для контролю забруднення:Використання SiC високої чистоти забезпечує мінімальне виділення газів або утворення частинок, зберігаючи цілісність чутливих поверхонь пластин і запобігаючи забрудненню, яке може поставити під загрозу продуктивність пристрою.

Виняткова хімічна стабільність:Внутрішня інертність SiC робить горизонтальну пластину SiC Wafer Boat високостійкою до впливу корозійних газів і хімічних речовин, які зазвичай використовуються у виробництві напівпровідників і фотоелектричних пристроїв. Ця надійна хімічна стабільність забезпечує тривалий термін експлуатації та мінімізує ризик перехресного забруднення між циклами процесу.

Універсальність і переваги продуктивності Horizontal SiC Wafer Boat призвели до його широкого застосування в ряді критичних процесів виробництва напівпровідників і фотоелектричних елементів:

Епітаксіальний ріст:Точне позиціонування пластини та однорідність температури є вирішальними для досягнення високоякісних епітаксійних шарів у передових напівпровідникових пристроях, що робить Horizontal SiC Wafer Boat важливим інструментом для цього процесу.

Дифузія та іонна імплантація:Точний допінг-контроль є найважливішим у визначенні електричних характеристик напівпровідникових приладів. Horizontal SiC Wafer Boat забезпечує точне позиціонування пластин під час цих процесів, що призводить до покращення однорідності та продуктивності пристрою.

Виробництво сонячних батарей:Здатність до високих температур і хімічна стійкість Horizontal SiC Wafer Boat робить його ідеальним для обробки кремнієвих пластин, які використовуються у фотоелектричних елементах, сприяючи підвищенню ефективності та довговічності систем сонячної енергії.