MOCVD SiC покритий графітом токоприймач

Semicorex MOCVD SiC Coated Graphite Susceptor — це вдосконалений спеціалізований компонент, який використовується в процесі металоорганічного хімічного осадження з парової фази, що є важливою технологією у виробництві напівпровідників, оптоелектронних пристроїв та інших сучасних матеріалів. Цей сенсор відіграє ключову роль у полегшенні росту тонких плівок і епітаксіальних шарів з точністю та ефективністю.

Graphite Susceptor із покриттям MOCVD SiC виготовлено з високоякісного графіту, вибраного за його термічну стабільність і чудову теплопровідність. Властивості графіту роблять його ідеальним матеріалом для роботи в складних умовах у реакторі MOCVD. Щоб підвищити продуктивність і подовжити термін служби, графітовий фіксатор ретельно покритий шаром карбіду кремнію (SiC).

MOCVD SiC Coated Graphite Susceptor є ключовим компонентом у сфері виробництва напівпровідників, втілюючи злиття найсучасніших матеріалів і точного машинобудування. Його довговічність, термічна ефективність і захисні можливості роблять його незамінним елементом у пошуках високоякісних, відтворюваних тонких плівок і епітаксійних шарів, необхідних для виготовлення передових електронних і оптоелектронних пристроїв.