У виробництві напівпровідників окислення передбачає розміщення пластини у високотемпературному середовищі, де кисень тече по поверхні пластини, утворюючи оксидний шар. Це захищає пластину від хімічних домішок, запобігає потраплянню струму витоку в схему, запобігає дифузії під час іонної імплантації ......
ДетальнішеКварц належить до тригональної кристалічної системи, яка є тривимірним каркасним мінеральним кристалом, що складається з діоксиду кремнію. Як правило, чистий кварц безбарвний і прозорий, але він набуває різноманітних відтінків в результаті слідових іонів пігменту, дрібнодисперсних включень або утвор......
ДетальнішеМатеріал SiC складається не з одного тетраедра з одного атома Si та одного атома C, а з незліченної кількості атомів Si та C. Велика кількість атомів Si і C утворюють хвилясті подвійні атомні шари (один шар атомів C і один шар атомів Si), а численні подвійні атомні шари утворюють кристали SiC. Через......
ДетальнішеВиробництво та обробка високоякісних підкладок з карбіду кремнію передбачає надзвичайно високі технічні бар’єри. Численні проблеми залишаються на всьому протязі процесу, від підготовки сировини до виготовлення готового продукту, що стало вирішальним фактором, що обмежує його широкомасштабне застосув......
ДетальнішеВуглецево-керамічні гальмівні диски — це високоефективні гальмівні рішення, виготовлені саме з композитних матеріалів на основі карбіду кремнію, посилених вуглецевим волокном, технічні витоки яких можна простежити до галузі гальмування літаків у 1970-х роках. Використовуючи високу міцність і міцніст......
Детальніше