Процес відпалу, також відомий як термічний відпал, є вирішальним кроком у виробництві напівпровідників.
Під час чищення пластин зазвичай використовуються ультразвукове очищення та мегазвукове очищення для видалення частинок з поверхні пластини.
4H-SiC, як напівпровідниковий матеріал третього покоління, відомий своєю широкою забороненою зоною, високою теплопровідністю та чудовою хімічною та термічною стабільністю, що робить його дуже цінним у потужних і високочастотних додатках.
Піч для вирощування монокристалів складається з шести ключових систем, які працюють у гармонії для забезпечення ефективного та високоякісного вирощування кристалів.
Нещодавно компанія Infineon Technologies оголосила про успішну розробку першої в світі технології пластин з нітриду галію (GaN) товщиною 300 мм.
Три основні методи, що використовуються у виробництві монокристалічного кремнію, це метод Чохральського (CZ), метод Кіропулоса та метод зони флоту (FZ).