Як основний матеріал напівпровідників третього покоління, карбід кремнію (SIC) відіграє все більш важливу роль у високотехнологічних галузях, таких як нові енергетичні транспортні засоби, фотоелектричне зберігання енергії та 5G комунікації через його відмінні фізичні властивості.
ДетальнішеКерамічні мембрани з карбіду кремнію мають характеристики високої хімічної стійкості, хорошої стійкості до термічного удару, сильної гідрофільності, великого потоку мембрани, високої механічної міцності, концентрованого розподілу розмірів пор та хорошого градієнта структури пор.
Детальніше