> Новини

Новини

Infineon представляє першу в світі 300-мм потужну GaN пластину

Нещодавно компанія Infineon Technologies оголосила про успішну розробку першої в світі технології пластин з нітриду галію (GaN) товщиною 300 мм.

Детальніше

Виробництво монокристалічного кремнію

Три основні методи, що використовуються у виробництві монокристалічного кремнію, це метод Чохральського (CZ), метод Кіропулоса та метод зони флоту (FZ).

Детальніше

Окислення в обробці напівпровідників

Процеси окислення відіграють вирішальну роль у запобіганні таким проблемам, створюючи на пластині захисний шар, відомий як оксидний шар, який діє як бар’єр між різними хімікатами.

Детальніше

Аналіз застосування та перспективи розвитку SiC кераміки в напівпровідникових і фотоелектричних секторах

Карбід кремнію (SiC), як важливий високоякісний керамічний матеріал, має чудові властивості, такі як стійкість до високих температур, стійкість до корозії, зносостійкість, високотемпературна механічна міцність і стійкість до окислення. Ці властивості роблять його дуже перспективним для застосування ......

Детальніше

Чому варто вибрати спікання без тиску для підготовки SiC кераміки?

Надвисока температура синтезу та труднощі досягнення щільного спікання кераміки SiC обмежили її розвиток. Процес спікання має вирішальне значення для SiC кераміки.

Детальніше

Що таке нітрид кремнію

Нітрид кремнію (Si3N4) є ключовим матеріалом у розробці вдосконаленої високотемпературної конструкційної кераміки.

Детальніше

<...3 4 5 6 7...30 >