Карбід кремнію (SiC) — це матеріал, який має високу енергію зв’язку, подібно до інших твердих матеріалів, таких як алмаз і кубічний нітрид бору. Однак висока енергія зв’язку SiC ускладнює кристалізацію безпосередньо в злитки за допомогою традиційних методів плавлення. Тому процес вирощування кристал......
ДетальнішеПромисловість карбіду кремнію включає ланцюжок процесів, які включають створення підкладки, епітаксійне зростання, проектування пристрою, виготовлення пристрою, пакування та тестування. Загалом, карбід кремнію виготовляють у вигляді злитків, які потім нарізають, шліфують і полірують для отримання пі......
ДетальнішеЗа часовою послідовністю напівпровідникові матеріали можна розділити на три покоління. Перше покоління германію, кремнію та інших поширених мономатеріалів, яке характеризується зручним перемиканням, зазвичай використовується в інтегральних схемах. Друге покоління арсеніду галію, фосфіду індію та інш......
ДетальнішеЗавдяки своїм чудовим фізико-хімічним властивостям карбід кремнію (SiC) має важливе застосування в таких галузях, як силова електроніка, високочастотні радіочастотні пристрої та датчики для середовища, стійкого до високих температур. Однак операція нарізки під час обробки пластин SiC створює пошкодж......
ДетальнішеВ даний час досліджується кілька матеріалів, серед яких карбід кремнію виділяється як один з найбільш перспективних. Подібно до GaN, він може похвалитися вищою робочою напругою, вищою напругою пробою та кращою провідністю порівняно з кремнієм. Крім того, завдяки високій теплопровідності карбід кремн......
Детальніше