> Новини

Новини

SiGe у виробництві мікросхем: професійний новинний звіт

Щоб задовольнити вимоги щодо високої продуктивності та низького енергоспоживання у сфері сучасних напівпровідникових технологій, SiGe (кремнієвий германій) став композиційним матеріалом вибору у виробництві напівпровідникових чіпів завдяки своїм унікальним фізичним та електричним властивостям.

Детальніше

Одиниця в напівпровіднику: ангстрем

Як одиниця довжини ангстрем (Å) повсюдно використовується у виробництві інтегральних схем. Від точного контролю товщини матеріалу до мініатюризації та оптимізації розміру пристрою, розуміння та застосування шкали Ангстрема є основою для забезпечення постійного розвитку напівпровідникових технологій.

Детальніше

Синтез порошку карбіду кремнію високої чистоти

Порошок карбіду кремнію високої чистоти має виняткову широку заборонену зону, що робить його ідеальним матеріалом для виробництва високочастотних, потужних електронних пристроїв.

Детальніше

Майже 840 мільйонів доларів: Онсемі купує компанію SiC

Сьогодні Onsemi оголосив на своєму офіційному веб-сайті, що досяг угоди з Qorvo про придбання технологічного бізнесу SiC JFET і дочірньої компанії Qorvo.

Детальніше

Яка різниця між графітизацією та карбонізацією

Підсумовуючи, і графітизація, і карбонізація є промисловими процесами, які включають вуглець як реагент або продукт. Карбонізація відноситься до процесу перетворення органічної речовини на вуглець, тоді як графітизація передбачає перетворення вуглецю на графіт. Тому карбонізацію класифікують як хімі......

Детальніше

Параметри процесу травлення

Травлення є критично важливим кроком у виробництві мікросхем, який використовується для створення дрібних схемних структур на кремнієвих пластинах.

Детальніше

<...4 5 6 7 8...37 >