Пористий графіт з покриттям TaC

Semicorex Porous Graphite with TaC Coating поєднує в собі унікальні властивості пористого графіту із захисними та покращуючими можливостями покриття TaC, пропонуючи значні покращення порівняно з традиційними матеріалами, що використовуються у високотемпературних тиглях.

Графіт і пористий графіт, хоча широко використовуються через їх термічну стабільність і електропровідність, представляють значні проблеми у високотемпературних середовищах. Пористий графіт, зокрема, є кращим через його високу проникність, яка забезпечує кращий потік газу та рівномірний розподіл температури. Однак його висока пористість робить його механічно слабким, що призводить до труднощів у механічній обробці та точному формуванні матеріалу. Крім того, пориста структура може призвести до осипання частинок, що забруднює кристали SiC. Пористий графіт також чутливий до хімічного травлення та деградації під дією високих температур і реактивних середовищ, що порушує цілісність тигля. Подібним чином, хоча порошки карбіду танталу (TaC) часто використовують для покриття або змішування з графітом для покращення його властивостей, їх рівномірне нанесення та адгезія можуть бути складними, що призводить до нерівних поверхонь і потенційного забруднення.

Продукт Porous Graphite with TaC Coating ефективно долає зазначені вище проблеми, поєднуючи найкращі властивості обох матеріалів:

Підвищена механічна міцність: покриття TaC значно підвищує механічну міцність пористого графіту, завдяки чому пористий графіт із покриттям TaC стає легшим для обробки та формування без шкоди для структурної цілісності матеріалу.

Зменшене осипання частинок: покриття TaC утворює захисний шар поверх пористого графіту, зменшуючи ймовірність осипання частинок і забруднення кристалів SiC.

Покращена хімічна стійкість: TaC має високу стійкість до хімічного травлення та деградації, створюючи міцний бар’єр, який захищає пористий графіт від реактивних газів і високотемпературного середовища.

Термостабільність і провідність: як графіт, так і TaC демонструють чудову термічну стабільність і провідність. Поєднання пористого графіту з покриттям TaC гарантує, що тигель підтримує рівномірний розподіл температури, що є ключовим для бездефектного росту кристалів SiC.

Оптимізована проникність: власна пористість графіту забезпечує ефективний потік газу та управління температурою, тоді як покриття TaC гарантує збереження цієї проникності без шкоди для цілісності матеріалу.

Пористий графіт Semicorex з покриттям TaC є значним прогресом у матеріалах, які використовуються для вирощування кристалів SiC. Вирішуючи механічні, хімічні та термічні проблеми, пов’язані з традиційними порошками графіту та TaC, Porous Graphite with TaC Coating забезпечує кристали SiC вищої якості з меншою кількістю дефектів. Поєднання проникності пористого графіту та захисних властивостей TaC пропонує надійне рішення для застосування при високих температурах, що робить його важливим матеріалом у виробництві передових напівпровідників та електронних пристроїв.