Кераміка з пористого карбіду танталу

Кераміка з пористого карбіду танталу Semicorex — це надвисокотемпературний керамічний матеріал з температурою плавлення близько 3880 ℃, який може підтримувати стабільну роботу в складних умовах високої температури та високої корозії завдяки наступним чудовим характеристикам.

1. Чудові теплові властивості

Максимальна робоча температура Semicorex porousкарбід танталу керамічнийможе досягати 3200 ℃, і він може стабільно працювати в умовах високотемпературного росту кристалів карбіду кремнію протягом тривалого часу без будь-якої деформації або розм'якшення.

2. Виняткова хімічна стабільність

Пориста кераміка з карбіду танталу Semicorex демонструє кращу стійкість до корозії та окислення, ніж звичайна кераміка. Він може ефективно протистояти корозії високотемпературного кисню та парів кремнію в процесі росту кристалів.

3. Особлива пориста структура

Пориста кераміка з карбіду танталу Semicorex має рівномірно розподілені внутрішні пори з пористістю від 10 до 60% (налаштовується) і швидкістю проникнення пор понад 98%. Ця спеціальна структура дозволяє елементам з парової фази, таким як Si та C, плавно текти та дифундувати всередині печі для вирощування кристалів, що значно полегшує вирощування високоякісних кристалів.

Застосування у вирощуванні кристалів карбіду кремнію

Під час вирощування кристалів карбіду кремнію за допомогою PVT-процесу пориста кераміка з карбіду танталу Semicorex функціонує головним чином у фільтрації парофазних елементів, регулюванні температурного градієнта в печі та спрямуванні потоку газу. На відміну від звичайних пористих графітових матеріалів із покриттям TaC, пориста кераміка з карбіду танталу Semicorex має явні переваги: ​​вона усуває пористістьГрафіт з покриттям TaCНедоліком матеріалів є низька швидкість проникнення пор, спричинена обробкою покриття, уникаючи при цьому больової точки пористих графітових матеріалів, покритих TaC, відшаровування покриття, яке виникає під час експлуатації. Використовуючи пористу кераміку з карбіду танталу Semicorex, ви можете ефективно пригнічувати дефекти вуглецевих включень у рості кристалів карбіду кремнію, тим самим значно покращуючи якість росту кристалів і вихід продукту.