Пластина з кремнієм на ізоляторі, також відома як пластина з кремнієм на ізоляторі, є типом напівпровідникової пластини, яка широко використовується у виробництві передових інтегральних схем (ІС). Semicorex прагне надавати якісну продукцію за конкурентоспроможними цінами, ми з нетерпінням чекаємо можливості стати вашим довгостроковим партнером у Китаї.
Структура пластини Silicon On Insulator складається з трьох основних шарів. Верхній шар являє собою тонку плівку монокристалічного кремнію, зазвичай товщиною від кількох нанометрів до кількох мікрометрів. Цей тонкий шар кремнію служить активною областю, де побудовані транзистори та інші електронні компоненти.
Під тонким кремнієвим шаром знаходиться шар ізоляційного матеріалу. Цей ізоляційний шар діє як бар’єр, запобігаючи потоку електричних зарядів між тонким кремнієвим шаром і шаром підкладки.
Нижній шар - це підкладка, яка являє собою більш товстий шар монокристалічного кремнію. Він забезпечує механічну підтримку пластини, а також служить радіатором для розсіювання виробленого тепла.
Процес виготовлення кремнієвої пластини із ізолятором включає різні методики, зокрема склеювання пластин і методи перенесення шару. Ці технології дозволяють створити високоякісний тонкий кремнієвий шар поверх ізоляційного шару.
Кремній на ізоляторній пластині стає все більш важливим у напівпровідниковій промисловості, зокрема у виробництві мікропроцесорів, пристроїв пам’яті, радіочастотних схем і систем високошвидкісного зв’язку. Їхня унікальна структура та переваги роблять їх кращим вибором для передових електронних застосувань, сприяючи швидшим та ефективнішим пристроям у різних галузях.