TAC покриття півмісяця

Кераміка TAC має температуру плавлення до 3880 ° C, високу твердість (твердість MOHS 9-10), велика теплопровідність (22 Вт · M-1 · K-1), велика міцність на згин (340-400MPA) та невеликий коефіцієнт теплового розширення (6,6 × 10−6K-1). Вони також демонструють чудову термохімічну стійкість та чудові фізичні властивості, а також мають хорошу хімічну та механічну сумісність з графітом та композитами C/C. Тому покриття TAC широко використовуються при аерокосмічному тепловому захисті, росту монокристалі, енергетичній електроніці та медичних пристроях.

Графіт з покриттям TAC має кращу хімічну корозійну стійкість, ніж голий графіт або графіт з покриттям SIC, може використовуватися стабільно при високих температурах 2600 °, і не реагує з багатьма металевими елементами. Це найкраще покриття в напівпровідникові сценаристі монокристалі та травлення вафельних поколінь і може значно покращити контроль температури та домішок у процесі, а також підготувати високоякісні вафлі карбіду кремнію та пов'язані з ними епітаксіальні пластини. Особливо він підходить для вирощування монокристалів GAN або ALN з обладнанням MOCVD та вирощуванням монокристалів SIC з обладнанням PVT. Якість вирощених монокристалів значно покращується.

Цей продукт є ідеальним рішенням для виробників, які надають пріоритет точній, ефективності та довговічності у своїх епітакси -процесах. Trust Semicorex для високоефективних рішень, розроблених для задоволення потреб розвитку напівпровідникової галузі.