Пористий графіт з покриттям з карбіду танталу

НапівкорексКарбід танталуПористий графіт із покриттям спеціально розроблений для оптимізації різних аспектів процесу вирощування кристалів SiC, включаючи фільтрацію компонентів парів, локальне регулювання температурного градієнта, керування напрямком потоку та контроль витоків.

Пориста природа пористого графіту з покриттям з карбіду танталу забезпечує ефективну фільтрацію компонентів пари під час процесу вирощування кристалів SiC. Це гарантує, що лише потрібні матеріали сприяють утворенню кристалів, покращуючи чистоту та загальну якість. Підтримка точного контролю температури має вирішальне значення для росту кристалів. Пористий графіт з покриттям з карбіду танталу покращує термічну стабільність і провідність пористого графіту, дозволяючи точніше регулювати місцеві градієнти температури. Це веде до кращого контролю над морфологією кристала та швидкістю росту. Конструкція пористого графіту з покриттям з карбіду танталу в поєднанні з покриттям TaC полегшує спрямований потік речовин. Це гарантує доставку матеріалів саме туди, куди потрібно, сприяючи рівномірному росту кристалів і знижуючи ймовірність дефектів. Ефективний контроль витоку матеріалу є життєво важливим для підтримки цілісності середовища зростання. Пористий графіт з покриттям з карбіду танталу забезпечує чудові ущільнювальні властивості, запобігаючи небажаним витокам і забезпечуючи стабільну та контрольовану атмосферу росту.

Переваги пористого графіту з покриттям з карбіду танталу:

Висока температура плавлення та термічна стабільність:TaCмає надзвичайно високу температуру плавлення (близько 3880°C) і чудову термічну стабільність, що робить пористий графіт з покриттям з карбіду танталу ідеальним для застосування при високих температурах, наприклад для вирощування кристалів SiC.

Хімічна інертність: TaC має високу стійкість до хімічних реакцій, завдяки чому покриття залишається цілісним і ефективним навіть в агресивних середовищах.

Підвищена довговічність: покриття TaC значно збільшує довговічність пористого графіту, подовжуючи термін експлуатації пористого графіту з покриттям з карбіду танталу та зменшуючи потребу в частій заміні.

Висока пористість: висока пористість графіту забезпечує ефективну фільтрацію та контроль потоку, необхідні для високоякісного росту кристалів.

Легкий і міцний: пористий графіт легкий і механічно міцний, що робить його простим у використанні та здатним витримувати суворі процеси росту кристалів.

Теплопровідність: чудова теплопровідність графіту забезпечує ефективний розподіл тепла, що має вирішальне значення для підтримки постійних градієнтів температури.

Пористий графіт із покриттям з карбіду танталу Semicorex є значним прогресом у матеріалах для вирощування кристалів SiC. Поєднуючи унікальні властивості TaC з притаманними перевагами пористого графіту, цей матеріал забезпечує чудову продуктивність у фільтрації компонентів парів, регулюванні градієнта температури, керуванні напрямком потоку та контролі витоків. Його надійна термічна стабільність, хімічна інертність і підвищена довговічність роблять його безцінним надбанням у пошуках високоякісних кристалів SiC.