Тигель з карбіду танталу

Тигель з карбіду танталу Semicorex ретельно виготовлений з графіту, який потім покривається карбідом танталу (TaC), комбінація якого забезпечує чудову продуктивність у високотемпературному та хімічно складному середовищі росту кристалів SiC.

Карбід танталу — це тугоплавкий керамічний матеріал, відомий своєю винятковою твердістю, хімічною стійкістю та здатністю зберігати структурну цілісність за надзвичайно високих температур. Покриваючи графітовий тигель TaC, тигель з карбіду танталу успадковує ці переваги, що значно покращує його продуктивність і термін служби. Покриття TaC діє як захисний бар’єр, запобігаючи реакції графіту з матеріалом SiC або іншими газами, присутніми під час процесу росту. Це гарантує, що тигель зберігає свою цілісність і не вводить жодних забруднень, які можуть поставити під загрозу якість кристалів SiC.

Тигель з карбіду танталу може працювати при підвищених температурах, необхідних для росту кристалів SiC. Кристали SiC зазвичай вирощують при температурах, що перевищують 2000°C, і постійна підтримка таких високих температур має вирішальне значення для отримання високоякісних кристалів. Графітовий тигель із покриттям TaC може витримувати ці екстремальні умови без деформації чи погіршення, забезпечуючи стабільне середовище для процесу росту кристалів. Ця стабільність є важливою для досягнення бажаного розміру кристала, чистоти та структурних властивостей, необхідних для застосування в напівпровідниках.

Тигель з карбіду танталу має сильну хімічну стійкість, що робить його необхідним для росту кристалів SiC. Протягом процесу росту вводяться різні гази та реакційноздатні речовини, які сприяють утворенню кристалів SiC. Ці середовища можуть бути дуже корозійними, створюючи ризик для структурної цілісності тигля. Покриття TaC ефективно захищає графіт від цих корозійних елементів, гарантуючи, що тигель залишається цілим і функціональним під час процесу. Така стійкість до хімічного впливу не тільки продовжує термін служби тигля, але й сприяє загальній ефективності та рентабельності операції вирощування кристалів.