CVD SiC Focus Ring

Удосконалений процес хімічного осадження з парової фази (CVD).

Процес CVD, який використовується у виробництві CVD SiC Focus Ring, включає точне осадження SiC у певні форми з подальшою суворою механічною обробкою. Цей метод забезпечує постійність параметрів питомого опору матеріалу завдяки фіксованому співвідношенню матеріалу, визначеному після численних експериментів. Результатом є фокусне кільце з неперевершеною чистотою та однорідністю.

Висока стійкість до плазми

Одним із найпереконливіших атрибутів CVD SiC Focus Ring є його виняткова стійкість до плазми. Враховуючи, що кільця фокусування піддаються безпосередньому впливу плазми у вакуумній реакційній камері, потреба в матеріалі, здатному витримати такі суворі умови, є першочерговою. SiC з рівнем чистоти 99,9995% не тільки має аналогічну електропровідність кремнію, але й забезпечує чудову стійкість до іонного травлення, що робить його ідеальним вибором для обладнання для плазмового травлення.

Висока щільність і зменшений об'єм травлення

Порівняно з кремнієвими (Si) фокусними кільцями, CVD SiC Focus Ring має вищу щільність, що значно зменшує об’єм травлення. Ця властивість має вирішальне значення для продовження терміну служби кільця фокусування та підтримки цілісності процесу виробництва напівпровідників. Зменшення обсягу травлення призводить до меншої кількості перерв і нижчих витрат на технічне обслуговування, що зрештою підвищує ефективність виробництва.

Широка заборонена зона та відмінна ізоляція

Широка заборонена зона SiC забезпечує чудові ізоляційні властивості, які є важливими для запобігання небажаним електричним струмам, які перешкоджають процесу травлення. Ця характеристика гарантує, що кільце фокусування збереже свою ефективність протягом тривалих періодів, навіть у найскладніших умовах.

Теплопровідність і стійкість до термічного удару

Фокусні кільця CVD SiC демонструють високу теплопровідність і низький коефіцієнт розширення, що робить їх високостійкими до теплового удару. Ці властивості є особливо корисними в програмах із швидкою термічною обробкою (RTP), де кільце фокусування має витримувати інтенсивні теплові імпульси з наступним швидким охолодженням. Здатність CVD SiC Focus Ring залишатися стабільною за таких умов робить його незамінним у сучасному виробництві напівпровідників.

Механічна міцність і довговічність

Висока еластичність і твердість CVD SiC Focus Ring забезпечують чудову стійкість до механічних впливів, зносу та корозії. Ці характеристики гарантують, що кільце фокусування може витримати суворі вимоги виробництва напівпровідників, зберігаючи свою структурну цілісність і продуктивність протягом тривалого часу.

Застосування в різних галузях

1. Виробництво напівпровідників

У сфері виробництва напівпровідників фокусне кільце CVD SiC є важливим компонентом обладнання для плазмового травлення, особливо тих, що використовують системи з ємнісним зв’язком плазми (CCP). Висока енергія плазми, необхідна для цих систем, робить плазмостійкість і довговічність CVD SiC Focus Ring безцінними. Крім того, його чудові теплові властивості роблять його добре придатним для застосувань RTP, де швидкі цикли нагрівання та охолодження є звичайними.

2. Світлодіодні вафельні носії

CVD SiC Focus Ring також дуже ефективний у виробництві носіїв світлодіодних пластин. Термостабільність матеріалу та стійкість до хімічної корозії гарантують, що кільце фокусування може витримувати суворі умови, які існують під час виготовлення світлодіодів. Ця надійність означає вищі врожаї та кращу якість світлодіодних пластин.

3. Мішені для розпилення

Висока твердість і стійкість до зношування CVD SiC Focus Ring роблять його ідеальним вибором для напилення мішеней. Здатність кільця фокусування зберігати свою структурну цілісність під впливом високої енергії забезпечує постійну та надійну продуктивність напилення, що має вирішальне значення для виробництва тонких плівок і покриттів.