Душові лійки CVD SiC

Душові насадки Semicorex CVD SiC — високочистий, високоточний інженерний компонент, розроблений для систем травлення CCP та ICP у передовому виробництві напівпровідників. Вибір Semicorex означає отримання надійних рішень із надзвичайною чистотою матеріалу, точністю обробки та довговічністю для найвимогливіших плазмових процесів.*

Надіслати запит

Опис продукту

Душові насадки Semicorex CVD SiC використовуються для травлення CCP. CCP травильні машини використовують два паралельні електроди (один заземлений, інший підключений до джерела радіочастотного живлення) для генерації плазми. Плазма підтримується між двома електродами завдяки електричному полю між ними. Електроди та газорозподільна пластина інтегровані в єдиний компонент. Травлюючий газ рівномірно розпорошується на поверхню пластини через невеликі отвори в душових насадках CVD SiC. Одночасно на душову насадку (також на верхній електрод) подається радіочастотна напруга. Ця напруга створює електричне поле між верхнім і нижнім електродами, збуджуючи газ з утворенням плазми. Ця конструкція забезпечує більш просту та компактну структуру, забезпечуючи рівномірний розподіл молекул газу та однорідне електричне поле, що забезпечує рівномірне травлення навіть великих пластин.

Душові насадки CVD SiC також можна застосовувати для ICP травлення. ІСП-травильники використовують індукційну котушку (зазвичай соленоїд) для створення радіочастотного магнітного поля, яке індукує струм і плазму. Душові насадки CVD SiC, як окремий компонент, відповідають за рівномірну доставку травильного газу в область плазми.

Душова насадка CVD SiC — це високочистий і точно виготовлений компонент для обладнання для обробки напівпровідників, який є фундаментальним для розподілу газу та здатності електродів. Використовуючи виробництво хімічного осадження з парової фази (CVD), душова лійка досягла винятку

чистота матеріалів і відмінний контроль розмірів, що відповідає суворим вимогам майбутнього виробництва напівпровідників.

Висока чистота є однією з визначальних переваг душових лійок CVD SiC. Під час обробки напівпровідників навіть найменше забруднення може значно вплинути на якість пластини та продуктивність пристрою. У цій душовій насадці використовується ультрачистий класCVD карбід кремніющоб мінімізувати забруднення частинками та металами. Ця душова лійка забезпечує чисте середовище та ідеально підходить для складних процесів, таких як хімічне осадження з парової фази, плазмове травлення та епітаксійне зростання.

Крім того, точна обробка демонструє відмінний контроль розмірів і якість поверхні. Отвори для розподілу газу в душовій лійці CVD SiC зроблені з суворими допусками, які допомагають забезпечити рівномірний і контрольований потік газу по поверхні пластини. Точний потік газу покращує однорідність плівки та повторюваність, а також може підвищити врожайність і продуктивність. Механічна обробка також допомагає зменшити шорсткість поверхні, що може зменшити накопичення часток і також подовжити термін служби компонентів.

CVD SiCмає притаманні властивості матеріалу, які сприяють продуктивності та довговічності душової лійки, включаючи високу теплопровідність, стійкість до плазми та механічну міцність. Душова лійка CVD SiC може витримувати екстремальні технологічні умови - висока температура, корозійні гази тощо - зберігаючи продуктивність протягом тривалих робочих циклів.

Гарячі теги: Душові лійки CVD SiC, Китай, Виробники, Постачальники, Фабрика, Індивідуальні, Масові, Розширені, Міцні

Тег продукту

Пов'язана категорія