Офортне кільце

Кільце для травлення Semicorex є важливим компонентом обладнання для виробництва напівпровідників, зокрема систем плазмового травлення. Виготовлений із карбіду кремнію за допомогою хімічного осадження з парової фази (CVD SiC), цей компонент забезпечує чудову продуктивність у високовимогливих плазмових середовищах, що робить його незамінним вибором для процесів точного травлення в напівпровідниковій промисловості.

Процес травлення, фундаментальний крок у створенні напівпровідникових пристроїв, вимагає обладнання, яке може витримувати жорсткі плазмові середовища без погіршення якості. Кільце для травлення, розташоване як частина камери, де плазма використовується для травлення візерунків на кремнієвих пластинах, відіграє вирішальну роль у цьому процесі.

Кільце для травлення функціонує як структурний і захисний бар’єр, гарантуючи, що плазма утримується та спрямовується саме туди, куди потрібно під час процесу травлення. Враховуючи екстремальні умови всередині плазмових камер, такі як високі температури, корозійні гази та абразивна плазма, дуже важливо, щоб кільце для травлення було виготовлено з матеріалів, які забезпечують виняткову стійкість до зношування та корозії. Саме тут CVD SiC (Chemical Vapor Deposition Silicon Carbide) доводить свою цінність як найкращий вибір для виробництва кілець для травлення.

CVD SiC – це передовий керамічний матеріал, відомий своїми чудовими механічними, хімічними та термічними властивостями. Ці характеристики роблять його ідеальним матеріалом для використання в обладнанні для виробництва напівпровідників, особливо в процесі травлення, де вимоги до продуктивності високі.

Висока твердість і зносостійкість:

CVD SiC є одним із найтвердіших доступних матеріалів, поступаючись лише алмазу. Ця надзвичайна твердість забезпечує відмінну зносостійкість, що робить його здатним протистояти суворому абразивному середовищу плазмового травлення. Кільце для травлення, піддане безперервному бомбардуванню іонами під час процесу, може зберігати свою структурну цілісність протягом більш тривалого часу порівняно з іншими матеріалами, зменшуючи частоту замін.

Хімічна інертність:

Однією з головних проблем у процесі травлення є корозійна природа плазмових газів, таких як фтор і хлор. Ці гази можуть спричинити значну деградацію матеріалів, які не є хімічно стійкими. Однак CVD SiC демонструє виняткову хімічну інертність, особливо в плазмових середовищах, що містять корозійні гази, таким чином запобігаючи забрудненню напівпровідникових пластин і забезпечуючи чистоту процесу травлення.

Термічна стабільність:

Процеси травлення напівпровідників часто відбуваються при підвищених температурах, що може спричинити термічне навантаження на матеріали. CVD SiC має відмінну термічну стабільність і низький коефіцієнт теплового розширення, що дозволяє йому зберігати свою форму і структурну цілісність навіть при високих температурах. Це мінімізує ризик термічної деформації, забезпечуючи постійну точність травлення протягом усього виробничого циклу.

Висока чистота:

Чистота матеріалів, які використовуються у виробництві напівпровідників, має величезне значення, оскільки будь-яке забруднення може негативно вплинути на продуктивність і продуктивність напівпровідникових пристроїв. CVD SiC є матеріалом високої чистоти, що знижує ризик введення домішок у виробничий процес. Це сприяє підвищенню врожайності та кращій загальній якості виробництва напівпровідників.

Кільце для травлення, виготовлене з CVD SiC, в основному використовується в системах плазмового травлення, які використовуються для травлення складних візерунків на напівпровідникових пластинах. Ці шаблони необхідні для створення мікроскопічних схем і компонентів сучасних напівпровідникових пристроїв, включаючи процесори, мікросхеми пам’яті та іншу мікроелектроніку.