Нещодавно компанія Infineon Technologies оголосила про успішну розробку першої в світі технології пластин з нітриду галію (GaN) товщиною 300 мм.
Три основні методи, що використовуються у виробництві монокристалічного кремнію, це метод Чохральського (CZ), метод Кіропулоса та метод зони флоту (FZ).
Процеси окислення відіграють вирішальну роль у запобіганні таким проблемам, створюючи на пластині захисний шар, відомий як оксидний шар, який діє як бар’єр між різними хімікатами.
Нітрид кремнію (Si3N4) є ключовим матеріалом у розробці вдосконаленої високотемпературної конструкційної кераміки.
Процес травлення: кремній проти карбіду кремнію
У виробництві напівпровідників точність і стабільність процесу травлення є найважливішими. Одним із критичних факторів досягнення високоякісного травлення є гарантія того, що вафлі лежать ідеально рівно на лотку під час процесу.