- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Новини галузі
Виробництво мікросхем: процеси тонкої плівки
Процес осадження тонкої плівки напівпровідника є важливою складовою сучасної технології мікроелектроніки. Він передбачає побудову складних інтегральних схем шляхом нанесення одного або кількох тонких шарів матеріалу на напівпровідникову підкладку.
Детальніше
Досягнення високоякісного росту кристалів SiC завдяки контролю градієнта температури на початковій фазі росту
Карбід кремнію (SiC) — широкозонний напівпровідниковий матеріал, який останніми роками привернув значну увагу завдяки своїм винятковим характеристикам у застосуваннях під високою напругою та високою температурою. У цьому дослідженні систематично досліджуються різні характеристики кристалів SiC, виро......
Детальніше
Дослідження розподілу питомого електричного опору в кристалах 4H-SiC n-типу
4H-SiC, як напівпровідниковий матеріал третього покоління, відомий своєю широкою забороненою зоною, високою теплопровідністю та чудовою хімічною та термічною стабільністю, що робить його дуже цінним у потужних і високочастотних додатках.
Детальніше
