- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Новини галузі
Напівпровідники 4-го покоління Оксид галію/β-Ga2O3
Перше покоління напівпровідникових матеріалів в основному представлено кремнієм (Si) і германієм (Ge), які почали зростати в 1950-х роках. Германій був домінуючим у перші дні і в основному використовувався в транзисторах низької напруги, низької частоти, середньої потужності та фотодетекторах, але ч......
Детальніше
Епітаксіальний ріст без дефектів і дислокації невідповідності
Епітаксійне зростання без дефектів відбувається, коли одна кристалічна решітка має майже ідентичні постійні решітки іншої. Зростання відбувається, коли вузли двох граток в області розділу приблизно збігаються, що можливо при невеликій невідповідності ґрат (менше 0,1%). Це наближене узгодження досяга......
Детальніше
Процес окислення
Основною стадією всіх процесів є процес окислення. Процес окислення полягає в тому, щоб помістити кремнієву пластину в атмосферу окислювачів, таких як кисень або водяна пара, для високотемпературної термічної обробки (800~1200 ℃), і на поверхні кремнієвої пластини відбувається хімічна реакція з утво......
Детальніше
Чому епітаксія нітриду глію (GaN) не росте на підкладці GaN?
Зростання епітаксії GaN на підкладці GaN представляє унікальну проблему, незважаючи на чудові властивості матеріалу порівняно з кремнієм. Епітаксія GaN пропонує значні переваги щодо ширини забороненої зони, теплопровідності та електричного поля пробою над матеріалами на основі кремнію. Це робить при......
Детальніше
