Пористі графітові матеріали для вирощування монокристалів SiC

Пористі графітові матеріали Semicorex розроблені для задоволення високих вимог до застосувань для вирощування кристалів SiC. Ці матеріали, розроблені з високою точністю та створені для досягнення продуктивності, є вашим ключем до отримання чудових кристалів SiC із неперевершеною якістю та чистотою.

особливості:

Оптимізована пористість: наші пористі графітові матеріали мають точно контрольовані рівні пористості для полегшення росту монокристалів SiC. Рівномірний розподіл пор забезпечує стійкі та надійні результати.

Висока теплопровідність: щоб забезпечити ефективну теплопередачу під час процесу вирощування SiC, наші матеріали мають високу теплопровідність, що зменшує градієнти температури та мінімізує дефекти кристалів.

Хімічна інертність: Стійкість до агресивних хімічних середовищ має першочергове значення для вирощування кристалів. Наші матеріали надзвичайно хімічно інертні, що гарантує їхню стабільність і не піддається впливу корозійної природи процесів зростання SiC.

Механічна стійкість: розроблені для довговічності, ці матеріали виявляють виняткову механічну стабільність, мінімізуючи ризик деформації або пошкодження під час тривалого використання.

Можливість налаштування: ми розуміємо, що різні процеси вирощування кристалів мають унікальні вимоги. Ось чому ми пропонуємо ряд варіантів налаштування, включаючи різні рівні пористості, розміри та форми, щоб адаптувати наші матеріали до ваших конкретних потреб.