Пористі графітові матеріали для вирощування монокристалів SiC

Ви можете бути впевнені, купуючи на нашому заводі пористі графітові матеріали для вирощування монокристалів SiC. Пористі графітові матеріали Semicorex розроблені для задоволення строгих вимог щодо вирощування кристалів SiC. Ці матеріали, розроблені з точністю та розроблені для досягнення продуктивності, є вашим ключем до отримання чудових кристалів SiC із неперевершеною якістю та чистотою.

особливості:

Оптимізована пористість: наші пористі графітові матеріали мають точно контрольовані рівні пористості для полегшення росту монокристалів SiC. Рівномірний розподіл пор забезпечує стійкі та надійні результати.

Висока теплопровідність: щоб забезпечити ефективну теплопередачу під час процесу вирощування SiC, наші матеріали мають високу теплопровідність, що зменшує градієнти температури та мінімізує дефекти кристалів.

Хімічна інертність: Стійкість до агресивних хімічних середовищ має першочергове значення для вирощування кристалів. Наші матеріали надзвичайно хімічно інертні, що гарантує, що вони залишаються стабільними та не піддаються впливу корозійної природи процесів росту SiC.

Механічна стійкість: розроблені для довговічності, ці матеріали виявляють виняткову механічну стабільність, мінімізуючи ризик деформації або пошкодження під час тривалого використання.

Можливість налаштування: ми розуміємо, що різні процеси вирощування кристалів мають унікальні вимоги. Ось чому ми пропонуємо ряд варіантів налаштування, включаючи різні рівні пористості, розміри та форми, щоб адаптувати наші матеріали до ваших конкретних потреб.