Ультратонкий графіт з високою пористістю

Чудове зчеплення частинок з поверхнею та чудові характеристики проти утворення пилу: ультратонкий графіт Semicorex з високою пористістю демонструє виняткову адгезію до частинок на поверхні, забезпечуючи мінімальне утворення пилу та підтримуючи чисте робоче середовище, що має вирішальне значення для чутливих застосувань, таких як виробництво напівпровідників.

Стійкість до високих температур: ультратонкий графіт із високою пористістю може витримувати екстремальні температури до 2500°C, що робить його придатним для високотемпературних процесів і середовищ, де звичайні матеріали не підійдуть.

Висока пористість до 65 %: висока пористість пористого графіту забезпечує ефективний потік газу та рідини, забезпечуючи кращий масообмін і розсіювання тепла в різних застосуваннях.

Ультратонкий пористий графіт із чудовою оброблюваністю: ультратонкий графіт із високою пористістю можна виготовляти у надтонкі листи завтовшки 1,5 мм, зберігаючи при цьому високу пористість, забезпечуючи гнучкість дизайну та застосування.

Оброблюваність для надтонкостінних циліндричних форм: ультратонкий графіт із високою пористістю можна обробити в надтонкостінні циліндричні форми з товщиною стінки ≤1 мм, що забезпечує універсальність конструкції та функціональності компонентів.

Чудові ізоляційні властивості та консистенція партії: ультратонкий графіт із високою пористістю демонструє видатні ізоляційні характеристики та постійну продуктивність від партії до партії, забезпечуючи надійні та відтворювані результати у критичних застосуваннях.

Надчистий пористий графітовий матеріал: надтонкий графіт із високою пористістю доступний у надчистих формах, що забезпечує високий рівень чистоти, необхідний для вимогливих застосувань, таких як виробництво напівпровідників.

Висока міцність: незважаючи на свою пористу природу, ультратонкий графіт з високою пористістю демонструє вражаючу міцність, що робить його придатним для структурних компонентів і несучих застосувань.

Застосування у виробництві напівпровідників:

Ультратонкий графіт з високою пористістю в основному використовується в напівпровідниковій промисловості, зокрема в новому процесі масообміну. У цьому процесі використовується нове теплове поле для однопрохідного масообміну, значно підвищуючи ефективність перенесення та підтримуючи постійну швидкість, тим самим зменшуючи вплив рекристалізації (уникаючи подвійного масообміну) і ефективно мінімізуючи мікротрубопроводи або інші пов’язані дефекти кристалів. Крім того, пористий графіт допомагає збалансувати компоненти газової фази, ізолювати сліди домішок, регулювати місцеві температури та зменшувати фізичну інкапсуляцію частинок. Задовольняючи вимоги щодо зручності використання кристалів, пористий графіт дозволяє істотно збільшити товщину кристалів, що робить його ключовою технологією для вирішення проблеми вирощування товстіших кристалів.