Високочистий пористий графітовий матеріал

Високочистий пористий графітовий матеріал, прикладом якого є пористий графіт Semicorex, є вершиною серед матеріалів, які використовуються для вирощування монокристалів SiC (карбіду кремнію) у напівпровідниковій промисловості. Цей спеціалізований графітовий матеріал розроблено з прискіпливим акцентом на надвисоку чистоту та виняткову відкриту пористість, що робить його першокласним вибором для вимогливих застосувань у процесах вирощування кристалів.

Відмінною рисою пористого графіту Semicorex є його незрівнянна чистота, що забезпечує мінімальну кількість домішок, які можуть поставити під загрозу цілісність процесу виробництва напівпровідників. Такий високий рівень чистоти є обов’язковим для вирощування монокристалів SiC, оскільки будь-які забруднення можуть негативно вплинути на електричні та структурні властивості отриманого напівпровідникового матеріалу.

Крім того, пористий графіт Semicorex має високу відкриту пористість, ключову характеристику для ефективного та контрольованого росту кристалів. Відкрита пористість сприяє точному контролю потоку газу та розподілу тепла під час процесу росту кристалів, сприяючи виробництву високоякісних монокристалів SiC з однаковими властивостями.

Першокласна якість матеріалу виходить за рамки його хімічних і фізичних характеристик. Пористий графіт Semicorex ретельно виготовлений і оброблений відповідно до суворих вимог напівпровідникової промисловості. Його надійність, послідовність і продуктивність роблять його кращим вибором для виробників напівпровідників, які займаються вирощуванням монокристалів SiC.