Продукти

Продукти
View as  
 
Пориста тарілка SIC

Пориста тарілка SIC

Пориста пластина SIC Semicorex-це вдосконалений керамічний матеріал, призначений для високоточних застосувань, що пропонує чудову механічну міцність, термічну стійкість та хімічну стійкість. *
ДетальнішеНадіслати запит
SIC -мембрана

SIC -мембрана

Membrane Semicorex SIC-це високоефективне керамічне фільтраційне рішення, виготовлене з карбіду з високою чистотою кремнію, призначеного для складних програм промислової фільтрації. Виберіть Semicorex для надійних, довговічних та ефективних мембран SIC, які забезпечують виняткову продуктивність та довгострокову цінність навіть у найвибагливіших умовах.*
ДетальнішеНадіслати запит
Пористий вакуум SIC

Пористий вакуум SIC

Semicorex Porous SIC вакуумний Чак призначений для точної та надійної обробки вафель, пропонуючи налаштовані варіанти матеріалів для задоволення широкого спектру потреб напівпровідникової обробки. Виберіть Semicorex для його прихильності до якісних, довговічних рішень, які забезпечують оптимальну продуктивність та ефективність у кожному додатку.*
ДетальнішеНадіслати запит
Мікропористий SIC Chuck

Мікропористий SIC Chuck

Semicorex Microporth Sic Chuck-це високоточний вакуумний патрон, призначений для безпечної обробки вафель у напівпровідникових процесах. Виберіть Semicorex для наших настроюваних рішень, вищого вибору матеріалів та відданості точності, забезпечення оптимальних показників у ваших потребах обробки вафель.*
ДетальнішеНадіслати запит
SIC покриття плоскою частиною

SIC покриття плоскою частиною

Плоска частина покриття Semicorex SIC-це графітовий компонент, покритий SIC, необхідний для рівномірної провідності повітряного потоку в процесі епітакси SIC. Semicorex забезпечує точні інженерні рішення з неперевершеною якістю, забезпечуючи оптимальну продуктивність для виробництва напівпровідників.*
ДетальнішеНадіслати запит
Компонент покриття SiC

Компонент покриття SiC

Компонент покриття Semicorex SiC — це важливий матеріал, розроблений для задоволення високих вимог процесу епітаксії SiC, ключового етапу у виробництві напівпровідників. Він відіграє вирішальну роль в оптимізації середовища для росту кристалів карбіду кремнію (SiC), суттєво сприяючи якості та продуктивності кінцевого продукту.*
ДетальнішеНадіслати запит
X
Ми використовуємо файли cookie, щоб запропонувати вам кращий досвід перегляду, аналізувати трафік сайту та персоналізувати вміст. Використовуючи цей сайт, ви погоджуєтеся на використання файлів cookie. Політика конфіденційності
Відхиляти прийняти